受主能級英文解釋翻譯、受主能級的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 acceptor state

分詞翻譯：

受主的英語翻譯：

acceptor
【化】 acceptor; acceptor centre; acceptor impurity

能級的英語翻譯：

【化】 energy level

專業解析

在半導體物理學中，"受主能級"（acceptor energy level）指摻入半導體晶格中的受主雜質原子在禁帶内形成的局部能态。這類能級通常位于價帶頂（valence band edge）上方約0.01-0.1 eV處，可通過公式表示為： $$ E_A = E_v + Delta E $$ 其中$E_v$為價帶頂能量，$Delta E$為受主電離能。受主雜質（如矽中摻入的硼原子）通過捕獲價帶電子形成帶正電的空穴，從而增強材料的p型導電特性。根據美國物理學會（American Physical Society）的能帶理論模型，這種摻雜機制是構建PN結、晶體管等電子器件的基礎。

典型實例包括Ⅲ族元素在Ⅳ族半導體中的摻雜行為，例如矽晶體中每個硼原子會産生一個受主能級。劍橋大學半導體研究組在《固态電子》期刊中指出，受主濃度直接影響載流子遷移率和器件開關速度。該能級特性已被國際半導體技術路線圖（ITRS）列為納米級器件設計的關鍵參數。

網絡擴展解釋

受主能級是半導體物理中的重要概念，指由受主雜質引入的特定能量狀态，其核心定義和特性可歸納如下：

一、定義

受主能級是指被受主雜質束縛的空穴所處的能量狀态。當半導體中摻入受主雜質（如硼、鋁等三價元素）時，雜質原子會吸引價帶電子形成負電中心，同時在價帶中留下空穴。這些空穴被負電中心弱束縛，對應的能量狀态即為受主能級。

二、形成機制與位置

類氫模型計算：受主能級可通過類比氫原子模型估算，其能量公式為： $$ E_A = frac{13.6 text{ eV} cdot m_h^}{varepsilon_r} $$ 其中$m_h^$為空穴有效質量，$varepsilon_r$為介電常數。實際受主能級能量通常≤0.1 eV。
能級位置：位于禁帶中靠近價帶頂的位置，與價帶頂的間距遠小于禁帶寬度（$E_A < E_g$）。

三、特性與作用

電荷特性：未被電子占據時呈中性，被占據時帶負電。
導電機制：當空穴獲得足夠能量（如熱能）時，會脫離束縛進入價帶成為自由空穴，形成P型半導體導電性。
摻雜效應：受主雜質濃度決定半導體類型，當受主數量占優時形成P型半導體。

通過多源信息綜合可見，受主能級的關鍵在于描述空穴在受主雜質附近的束縛态能量，其存在顯著影響半導體的導電性能。建議參考（搜狗百科）和（查字典教育）獲取更詳細說明。