受主能级英文解释翻译、受主能级的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 acceptor state

分词翻译：

受主的英语翻译：

acceptor
【化】 acceptor; acceptor centre; acceptor impurity

能级的英语翻译：

【化】 energy level

专业解析

在半导体物理学中，"受主能级"（acceptor energy level）指掺入半导体晶格中的受主杂质原子在禁带内形成的局部能态。这类能级通常位于价带顶（valence band edge）上方约0.01-0.1 eV处，可通过公式表示为： $$ E_A = E_v + Delta E $$ 其中$E_v$为价带顶能量，$Delta E$为受主电离能。受主杂质（如硅中掺入的硼原子）通过捕获价带电子形成带正电的空穴，从而增强材料的p型导电特性。根据美国物理学会（American Physical Society）的能带理论模型，这种掺杂机制是构建PN结、晶体管等电子器件的基础。

典型实例包括Ⅲ族元素在Ⅳ族半导体中的掺杂行为，例如硅晶体中每个硼原子会产生一个受主能级。剑桥大学半导体研究组在《固态电子》期刊中指出，受主浓度直接影响载流子迁移率和器件开关速度。该能级特性已被国际半导体技术路线图（ITRS）列为纳米级器件设计的关键参数。

网络扩展解释

受主能级是半导体物理中的重要概念，指由受主杂质引入的特定能量状态，其核心定义和特性可归纳如下：

一、定义

受主能级是指被受主杂质束缚的空穴所处的能量状态。当半导体中掺入受主杂质（如硼、铝等三价元素）时，杂质原子会吸引价带电子形成负电中心，同时在价带中留下空穴。这些空穴被负电中心弱束缚，对应的能量状态即为受主能级。

二、形成机制与位置

类氢模型计算：受主能级可通过类比氢原子模型估算，其能量公式为： $$ E_A = frac{13.6 text{ eV} cdot m_h^}{varepsilon_r} $$ 其中$m_h^$为空穴有效质量，$varepsilon_r$为介电常数。实际受主能级能量通常≤0.1 eV。
能级位置：位于禁带中靠近价带顶的位置，与价带顶的间距远小于禁带宽度（$E_A < E_g$）。

三、特性与作用

电荷特性：未被电子占据时呈中性，被占据时带负电。
导电机制：当空穴获得足够能量（如热能）时，会脱离束缚进入价带成为自由空穴，形成P型半导体导电性。
掺杂效应：受主杂质浓度决定半导体类型，当受主数量占优时形成P型半导体。

通过多源信息综合可见，受主能级的关键在于描述空穴在受主杂质附近的束缚态能量，其存在显著影响半导体的导电性能。建议参考（搜狗百科）和（查字典教育）获取更详细说明。