體效應英文解釋翻譯、體效應的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 bulk effect

body; style; substance; system
【計】 body
【醫】 body; corpora; corps; corpus; leukocytic crystals; scapus; shaft; soma
Somato-

effect
【醫】 effect

在電子工程領域，"體效應"（Bulk Effect）指半導體材料内部（而非表面或結區）的物理現象對其電學特性的影響。其核心概念與漢英詞典中的對應解釋如下：

體效應 (Bulk Effect)

中文釋義：指半導體器件中，材料内部（體區）的物理性質（如載流子濃度、電場分布、能帶結構）對器件整體性能（如阈值電壓、導電能力）産生的影響。區别于由表面态或界面效應主導的現象。
英文釋義： The phenomenon in semiconductor devices where the physical properties of the material's interior (bulk region), such as carrier concentration, electric field distribution, and band structure, significantly influence the overall device performance (e.g., threshold voltage, conductivity). This is distinct from effects dominated by surface states or interfaces.

關鍵特征與影響：

阈值電壓調制：在MOSFET等器件中，源極與襯底（體區）之間的反向偏壓會改變耗盡層寬度和電荷分布，從而調制器件的阈值電壓（$V{th}$）。這種體效應可用公式近似表示： $$ Delta V{th} = gamma (sqrt{|2phiF + V{SB}|} - sqrt{|2phi_F|}) $$ 其中，$gamma$是體效應系數，$phiF$是費米勢，$V{SB}$是源-襯底電壓。
導電性變化：體區摻雜濃度直接影響載流子遷移率和電阻率，進而影響器件的導通電阻和電流驅動能力。
擊穿特性：體區的電場分布和碰撞電離過程決定了器件的雪崩擊穿電壓等特性。
寄生效應：在集成電路中，相鄰器件的體區可能通過公共襯底産生耦合，導緻如"闩鎖效應"（Latch-up）等寄生問題。

權威參考來源：

《半導體器件物理與工藝》（施敏, Kwok K. Ng）：經典教材詳細闡述了MOSFET中的體效應及其數學模型（Chapter 6: MOSFET Fundamentals）。
IEEE Xplore Digital Library：收錄大量關于體效應建模及其對納米尺度器件影響的研究論文，如"Bulk Effect in Advanced CMOS Technologies"。 (注：此處為示例性領域資源鍊接，具體論文需根據關鍵詞檢索)
Encyclopedia of Semiconductor Terms (SEMI)：提供标準術語定義，強調體效應在工藝控制中的重要性。

體效應揭示了半導體材料内部物理機制對器件電學行為的核心作用，是器件建模、電路設計和工藝優化的關鍵考量因素。其核心在于體區電荷、電場與器件外部特性的内在關聯。

“體效應”是一個多學科交叉的術語，在不同領域有不同含義，以下是主要解釋：

空間結構擁擠效應
在化學反應（尤其有機反應）中，當分子基團因體積過大導緻空間位阻顯著時，反應速率或路徑可能改變。例如，大體積取代基可能阻礙分子間接近，影響反應決定性步驟的進行。
超微粒特性效應
當材料尺寸縮小到納米級（如半導體超微粒），其原子數量減少導緻物理性質與宏觀材料差異顯著。例如，量子尺寸效應（電子運動受限）和形狀效應（結構對尺寸敏感）均屬于此類體效應的表現。

在半導體器件（如MOSFET）中，“體效應”特指襯底偏置對阈值電壓的影響，即襯底與源極間電壓變化導緻器件導電特性改變的現象。這一概念雖未在搜索結果中直接提及，但實際應用中常見于電子工程領域。

需根據具體語境判斷“體效應”所指：

注：部分定義來自非權威來源，建議結合專業文獻進一步驗證。