体效应英文解释翻译、体效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 bulk effect

body; style; substance; system
【计】 body
【医】 body; corpora; corps; corpus; leukocytic crystals; scapus; shaft; soma
Somato-

effect
【医】 effect

在电子工程领域，"体效应"（Bulk Effect）指半导体材料内部（而非表面或结区）的物理现象对其电学特性的影响。其核心概念与汉英词典中的对应解释如下：

体效应 (Bulk Effect)

中文释义：指半导体器件中，材料内部（体区）的物理性质（如载流子浓度、电场分布、能带结构）对器件整体性能（如阈值电压、导电能力）产生的影响。区别于由表面态或界面效应主导的现象。
英文释义： The phenomenon in semiconductor devices where the physical properties of the material's interior (bulk region), such as carrier concentration, electric field distribution, and band structure, significantly influence the overall device performance (e.g., threshold voltage, conductivity). This is distinct from effects dominated by surface states or interfaces.

关键特征与影响：

阈值电压调制：在MOSFET等器件中，源极与衬底（体区）之间的反向偏压会改变耗尽层宽度和电荷分布，从而调制器件的阈值电压（$V{th}$）。这种体效应可用公式近似表示： $$ Delta V{th} = gamma (sqrt{|2phiF + V{SB}|} - sqrt{|2phi_F|}) $$ 其中，$gamma$是体效应系数，$phiF$是费米势，$V{SB}$是源-衬底电压。
导电性变化：体区掺杂浓度直接影响载流子迁移率和电阻率，进而影响器件的导通电阻和电流驱动能力。
击穿特性：体区的电场分布和碰撞电离过程决定了器件的雪崩击穿电压等特性。
寄生效应：在集成电路中，相邻器件的体区可能通过公共衬底产生耦合，导致如"闩锁效应"（Latch-up）等寄生问题。

权威参考来源：

《半导体器件物理与工艺》（施敏, Kwok K. Ng）：经典教材详细阐述了MOSFET中的体效应及其数学模型（Chapter 6: MOSFET Fundamentals）。
IEEE Xplore Digital Library：收录大量关于体效应建模及其对纳米尺度器件影响的研究论文，如"Bulk Effect in Advanced CMOS Technologies"。 (注：此处为示例性领域资源链接，具体论文需根据关键词检索)
Encyclopedia of Semiconductor Terms (SEMI)：提供标准术语定义，强调体效应在工艺控制中的重要性。

体效应揭示了半导体材料内部物理机制对器件电学行为的核心作用，是器件建模、电路设计和工艺优化的关键考量因素。其核心在于体区电荷、电场与器件外部特性的内在关联。

“体效应”是一个多学科交叉的术语，在不同领域有不同含义，以下是主要解释：

空间结构拥挤效应
在化学反应（尤其有机反应）中，当分子基团因体积过大导致空间位阻显著时，反应速率或路径可能改变。例如，大体积取代基可能阻碍分子间接近，影响反应决定性步骤的进行。
超微粒特性效应
当材料尺寸缩小到纳米级（如半导体超微粒），其原子数量减少导致物理性质与宏观材料差异显著。例如，量子尺寸效应（电子运动受限）和形状效应（结构对尺寸敏感）均属于此类体效应的表现。

在半导体器件（如MOSFET）中，“体效应”特指衬底偏置对阈值电压的影响，即衬底与源极间电压变化导致器件导电特性改变的现象。这一概念虽未在搜索结果中直接提及，但实际应用中常见于电子工程领域。

需根据具体语境判断“体效应”所指：

注：部分定义来自非权威来源，建议结合专业文献进一步验证。