四层半导体开关管英文解释翻译、四层半导体开关管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 binistor

four
【医】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

【医】 switch valves

四层半导体开关管（Four-layer semiconductor switching device）是一种基于PNPN结构的电力电子器件，其核心特征是通过四层交替掺杂的半导体材料实现可控导通与关断。该器件在高压大电流场景中具有关键作用，主要包含以下特性：

结构原理
四层半导体开关管由三个PN结（J1、J2、J3）构成，形成P-N-P-N叠层结构。当阳极与阴极间施加正向电压且控制极注入触发电流时，内部载流子再生效应引发器件导通，呈现低阻态。关断需通过电流降至维持电流以下或施加反向电压实现（来源：IEEE Xplore文献库）。
典型器件类型

晶闸管（Thyristor/Silicon Controlled Rectifier, SCR）：基础型四层器件，通过门极脉冲控制导通，广泛用于交流调压电路（来源：东芝半导体技术手册）。
门极可关断晶闸管（Gate Turn-Off Thyristor, GTO）：增加门极反向关断能力，适用于高压直流输电（来源：英飞凌应用笔记）。

核心参数
关键指标包括阻断电压（最高达8kV）、通态电流（数百至数千安培）、触发灵敏度（门极触发电流/电压）及开关速度（微秒至毫秒级）（来源：《电力电子技术》第5版，王兆安著）。
应用领域

该器件的中英术语对照为：

四层半导体开关管是一种基于PNPN四层结构的半导体器件，主要用于控制高电压、大电流的开关操作。以下是其核心要点解析：

四层PNPN结构
由四层交替排列的P型和N型半导体材料构成，形成三个PN结（如P-N-P-N排列）。典型代表包括：
- 晶闸管（可控硅，SCR）：含阳极（A）、阴极（K）、门极（G）三个电极，通过门极信号控制导通。
- 四极晶闸管（SCS）：扩展为四个电极（阳极A、阴极K、阳极控制极GA、阴极控制极GK），功能更灵活。

导通与关断机制
- 在阳极与阴极间施加正向电压时，若门极触发适当电流，器件进入导通状态，电流由阳极流向阴极。
- 关断需通过降低阳极电流或施加反向电压实现，部分类型（如门极关断晶闸管）可直接通过控制极信号关断。

四层半导体开关管因结构差异衍生出多种类型（如普通晶闸管、双向可控硅、门极关断晶闸管等），需根据具体电路需求选择。其核心优势在于将小信号控制与大功率负载管理高效结合。