电子发射英文解释翻译、电子发射的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 electron emission
【化】 electron(ic) emission

分词翻译：

电子的英语翻译：

electron
【化】 electron
【医】 e.; electron

发射的英语翻译：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【医】 emission

专业解析

电子发射（Electron Emission）是指电子从材料表面逸入真空或周围介质的过程，是电子工程和物理学中的重要基础概念。其核心机制涉及材料内部电子克服表面势垒的能量跃迁，主要分为以下几种类型：

一、热电子发射（Thermionic Emission）

材料受热时，部分电子获得足够动能越过表面势垒而逸出。其电流密度遵循理查森-杜什曼定律： $$ J = ATe^{-W/kT} $$ 其中 $A$ 为材料常数，$T$ 为绝对温度，$W$ 为功函数，$k$ 为玻尔兹曼常数。该现象应用于真空管阴极和电子显微镜电子源。

二、场致发射（Field Emission）

强电场（>10⁹ V/m）作用下，电子通过量子隧道效应穿越势垒。电流密度由福勒-诺德海姆方程描述： $$ J propto frac{E}{phi} expleft(-frac{Bphi^{3/2}}{E}right) $$ 其中 $E$ 为电场强度，$phi$ 为功函数，$B$ 为常数。此原理应用于扫描隧道显微镜和场发射显示器。

三、光电子发射（Photoemission）

光子能量超越材料功函数时，电子吸收光子能量而逸出（光电效应），遵循爱因斯坦方程： $$ h u = phi + frac{1}{2}mv $$ 其中 $h u$ 为光子能量。该效应是光伏器件和光电倍增管的工作基础。

四、二次电子发射（Secondary Electron Emission）

高能粒子（电子或离子）轰击材料表面时，激发内部电子逸出。发射系数（二次电子数/入射粒子数）取决于材料特性及入射粒子能量，广泛应用于光电成像管和粒子探测器。

权威参考文献：

美国物理学会《应用物理评论》热电子发射机理（链接）
剑桥大学《场发射物理学》（链接）
美国国家标准技术研究院光电效应数据库（链接）
爱思唯尔《表面科学报告》二次发射综述（链接）

网络扩展解释

电子发射是指电子从材料表面（如金属或半导体）逸出进入真空或其他介质的过程。这一现象广泛存在于电子器件、能源转换和工业应用中，其核心机制是通过外部能量克服材料表面的势垒。以下是详细解释：

一、基本定义

电子发射需要电子获得足够能量以克服材料表面的束缚力（称为表面势垒）。根据能量来源不同，可分为多种类型。

二、主要类型及机制

热电子发射
通过加热材料使内部电子动能增加，当能量超过表面势垒时逸出。温度越高，发射能力越强。常见于真空管和阴极射线管（CRT）。
光电子发射（外光电效应）
光辐射提供能量，电子吸收光子能量后逸出。应用于光电倍增管和太阳能电池。
场致电子发射（冷发射）
强电场降低表面势垒，使电子通过量子隧穿效应逸出。用于场发射显示器（FED）和扫描电子显微镜。
次级电子发射
高能粒子（如电子或离子）撞击材料表面，将能量传递给内部电子使其逸出。此现象在粒子探测器和某些放大器件中发挥作用。
撞击电子发射
高速阳离子撞击阴极时传递能量引发电子发射，常见于电弧焊接和气体放电过程。

三、应用领域

电子器件：如真空管、半导体元件和场发射显示器（FED）。
能源技术：太阳能电池中的光电子发射，以及电弧焊接中的热电子和撞击电子发射。
科研仪器：电子显微镜和粒子加速器依赖场致发射和次级发射原理。

四、公式示例（热电子发射）

金属的热电子发射电流密度公式为：
$$
J = A T e^{-frac{E}{kT}}
$$
其中，$A$为发射常数，$T$为温度，$E$为逸出功，$k$为玻尔兹曼常数。

以上内容综合了不同来源的分类和机制差异，如需完整信息可参考-4。