電子發射英文解釋翻譯、電子發射的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 electron emission
【化】 electron(ic) emission

分詞翻譯：

電子的英語翻譯：

electron
【化】 electron
【醫】 e.; electron

發射的英語翻譯：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【醫】 emission

專業解析

電子發射（Electron Emission）是指電子從材料表面逸入真空或周圍介質的過程，是電子工程和物理學中的重要基礎概念。其核心機制涉及材料内部電子克服表面勢壘的能量躍遷，主要分為以下幾種類型：

一、熱電子發射（Thermionic Emission）

材料受熱時，部分電子獲得足夠動能越過表面勢壘而逸出。其電流密度遵循理查森-杜什曼定律： $$ J = ATe^{-W/kT} $$ 其中 $A$ 為材料常數，$T$ 為絕對溫度，$W$ 為功函數，$k$ 為玻爾茲曼常數。該現象應用于真空管陰極和電子顯微鏡電子源。

二、場緻發射（Field Emission）

強電場（>10⁹ V/m）作用下，電子通過量子隧道效應穿越勢壘。電流密度由福勒-諾德海姆方程描述： $$ J propto frac{E}{phi} expleft(-frac{Bphi^{3/2}}{E}right) $$ 其中 $E$ 為電場強度，$phi$ 為功函數，$B$ 為常數。此原理應用于掃描隧道顯微鏡和場發射顯示器。

三、光電子發射（Photoemission）

光子能量超越材料功函數時，電子吸收光子能量而逸出（光電效應），遵循愛因斯坦方程： $$ h u = phi + frac{1}{2}mv $$ 其中 $h u$ 為光子能量。該效應是光伏器件和光電倍增管的工作基礎。

四、二次電子發射（Secondary Electron Emission）

高能粒子（電子或離子）轟擊材料表面時，激發内部電子逸出。發射系數（二次電子數/入射粒子數）取決于材料特性及入射粒子能量，廣泛應用于光電成像管和粒子探測器。

權威參考文獻：

美國物理學會《應用物理評論》熱電子發射機理（鍊接）
劍橋大學《場發射物理學》（鍊接）
美國國家标準技術研究院光電效應數據庫（鍊接）
愛思唯爾《表面科學報告》二次發射綜述（鍊接）

網絡擴展解釋

電子發射是指電子從材料表面（如金屬或半導體）逸出進入真空或其他介質的過程。這一現象廣泛存在于電子器件、能源轉換和工業應用中，其核心機制是通過外部能量克服材料表面的勢壘。以下是詳細解釋：

一、基本定義

電子發射需要電子獲得足夠能量以克服材料表面的束縛力（稱為表面勢壘）。根據能量來源不同，可分為多種類型。

二、主要類型及機制

熱電子發射
通過加熱材料使内部電子動能增加，當能量超過表面勢壘時逸出。溫度越高，發射能力越強。常見于真空管和陰極射線管（CRT）。
光電子發射（外光電效應）
光輻射提供能量，電子吸收光子能量後逸出。應用于光電倍增管和太陽能電池。
場緻電子發射（冷發射）
強電場降低表面勢壘，使電子通過量子隧穿效應逸出。用于場發射顯示器（FED）和掃描電子顯微鏡。
次級電子發射
高能粒子（如電子或離子）撞擊材料表面，将能量傳遞給内部電子使其逸出。此現象在粒子探測器和某些放大器件中發揮作用。
撞擊電子發射
高速陽離子撞擊陰極時傳遞能量引發電子發射，常見于電弧焊接和氣體放電過程。

三、應用領域

電子器件：如真空管、半導體元件和場發射顯示器（FED）。
能源技術：太陽能電池中的光電子發射，以及電弧焊接中的熱電子和撞擊電子發射。
科研儀器：電子顯微鏡和粒子加速器依賴場緻發射和次級發射原理。

四、公式示例（熱電子發射）

金屬的熱電子發射電流密度公式為：
$$
J = A T e^{-frac{E}{kT}}
$$
其中，$A$為發射常數，$T$為溫度，$E$為逸出功，$k$為玻爾茲曼常數。

以上内容綜合了不同來源的分類和機制差異，如需完整信息可參考-4。