半导体掺杂英文解释翻译、半导体掺杂的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 semiconductor doping

分词翻译：

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

掺杂的英语翻译：

*****erate; *****eration; intermingle
【计】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【医】 *****eration

专业解析

半导体掺杂（Semiconductor Doping）是指通过向纯净半导体材料（如硅、锗）中引入特定杂质元素，人为调控其导电性能的技术过程。该操作通过改变半导体晶格结构中的载流子浓度，实现材料从本征半导体向P型或N型半导体的转化。

从技术实现角度，掺杂可分为两类：

1. 替代式掺杂（Substitutional Doping）：杂质原子取代晶格中的主原子位置，例如磷（P）掺杂硅时，五价磷原子占据四价硅的位置，产生自由电子。
2. 间隙式掺杂（Interstitial Doping）：较小原子（如硼）嵌入晶格间隙，引发空穴导电机制。

掺杂浓度遵循质量作用定律，其电导率变化可通过公式表达： $$ sigma = q(nmu_n + pmu_p) $$ 其中σ为电导率，q为电荷量，n/p分别代表电子和空穴浓度，μ为迁移率。

该技术在现代电子器件中具有基础性作用，包括：

• 晶体管PN结形成（参考：国际半导体技术路线图2024版）
• 太阳能电池载流子分离（引证：IEEE《电子器件汇刊》）
• 集成电路阈值电压控制（来源：美国物理联合会应用物理系列丛书）

行业标准通常将掺杂浓度划分为轻掺杂（10¹⁵/cm³）、中掺杂（10¹⁷/cm³）和重掺杂（10¹⁹/cm³）三个等级，不同浓度对应器件特性的差异化应用场景。

网络扩展解释

半导体掺杂是指在本征半导体（如硅、锗）中人为掺入微量特定杂质元素，以改变其导电性能的工艺过程。以下是详细解释：

一、定义与目的

1. 定义
   通过向纯净半导体晶格中添加三价（如硼）或五价（如磷）元素，形成空穴或自由电子，从而显著提升导电能力。掺杂后的半导体称为非本征半导体（或杂质半导体）。

2. 目的

   • 调控导电类型：形成P型（空穴主导）或N型（电子主导）半导体。
   • 优化电学性能：如增强导电性、控制载流子浓度，为制造二极管、晶体管等器件奠定基础。

二、掺杂类型与原理

• P型掺杂：三价原子在晶格中产生“空位”（空穴），吸引电子填补，形成空穴导电。
• N型掺杂：五价原子贡献多余电子，增强电子导电性。

三、掺杂技术

1. 热扩散法
   高温下使杂质原子扩散进入半导体表层，适用于早期工艺。
2. 离子注入法
   通过高能离子束将杂质精确注入特定区域，现代集成电路主要采用此技术。

四、关键影响

• 载流子浓度：掺杂浓度直接决定导电能力，轻度掺杂为杂质半导体，重度掺杂可能形成简并半导体（需考虑量子效应）。
• 应用：通过组合P型和N型材料，可制造PN结、晶体管等核心电子元件。

如需进一步了解具体掺杂工艺或器件应用，可参考半导体物理教材或专业文献。

分类

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏览...

铋紫初始段粗鄙的粗人而且费希尔氏试餐粉状孢子关节再造成形术管理人国有化铁路海登海因氏偶氮卡红染剂环形注油器火山石磨带减半经皮质性运用不能可听限度库存量数据零级定址慢吞吞拟定报告欧拉迹葡糖琼脂欺诈性陈述生产成本预算实用模型权利书本末页水平加压叶滤机叔烃外强中干外周反射中枢