半導體摻雜英文解釋翻譯、半導體摻雜的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 semiconductor doping

分詞翻譯：

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

摻雜的英語翻譯：

*****erate; *****eration; intermingle
【計】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【醫】 *****eration

專業解析

半導體摻雜（Semiconductor Doping）是指通過向純淨半導體材料（如矽、鍺）中引入特定雜質元素，人為調控其導電性能的技術過程。該操作通過改變半導體晶格結構中的載流子濃度，實現材料從本征半導體向P型或N型半導體的轉化。

從技術實現角度，摻雜可分為兩類：

1. 替代式摻雜（Substitutional Doping）：雜質原子取代晶格中的主原子位置，例如磷（P）摻雜矽時，五價磷原子占據四價矽的位置，産生自由電子。
2. 間隙式摻雜（Interstitial Doping）：較小原子（如硼）嵌入晶格間隙，引發空穴導電機制。

摻雜濃度遵循質量作用定律，其電導率變化可通過公式表達： $$ sigma = q(nmu_n + pmu_p) $$ 其中σ為電導率，q為電荷量，n/p分别代表電子和空穴濃度，μ為遷移率。

該技術在現代電子器件中具有基礎性作用，包括：

• 晶體管PN結形成（參考：國際半導體技術路線圖2024版）
• 太陽能電池載流子分離（引證：IEEE《電子器件彙刊》）
• 集成電路阈值電壓控制（來源：美國物理聯合會應用物理系列叢書）

行業标準通常将摻雜濃度劃分為輕摻雜（10¹⁵/cm³）、中摻雜（10¹⁷/cm³）和重摻雜（10¹⁹/cm³）三個等級，不同濃度對應器件特性的差異化應用場景。

網絡擴展解釋

半導體摻雜是指在本征半導體（如矽、鍺）中人為摻入微量特定雜質元素，以改變其導電性能的工藝過程。以下是詳細解釋：

一、定義與目的

1. 定義
   通過向純淨半導體晶格中添加三價（如硼）或五價（如磷）元素，形成空穴或自由電子，從而顯著提升導電能力。摻雜後的半導體稱為非本征半導體（或雜質半導體）。

2. 目的

   • 調控導電類型：形成P型（空穴主導）或N型（電子主導）半導體。
   • 優化電學性能：如增強導電性、控制載流子濃度，為制造二極管、晶體管等器件奠定基礎。

二、摻雜類型與原理

• P型摻雜：三價原子在晶格中産生“空位”（空穴），吸引電子填補，形成空穴導電。
• N型摻雜：五價原子貢獻多餘電子，增強電子導電性。

三、摻雜技術

1. 熱擴散法
   高溫下使雜質原子擴散進入半導體表層，適用于早期工藝。
2. 離子注入法
   通過高能離子束将雜質精确注入特定區域，現代集成電路主要采用此技術。

四、關鍵影響

• 載流子濃度：摻雜濃度直接決定導電能力，輕度摻雜為雜質半導體，重度摻雜可能形成簡并半導體（需考慮量子效應）。
• 應用：通過組合P型和N型材料，可制造PN結、晶體管等核心電子元件。

如需進一步了解具體摻雜工藝或器件應用，可參考半導體物理教材或專業文獻。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

【别人正在浏覽】