传输闸电路英文解释翻译、传输闸电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transmission gate

分词翻译：

传输的英语翻译：

transmission; transmit
【计】 transfers; transmission; transput; X; XFER

闸的英语翻译：

brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【医】 switch

电路的英语翻译：

circuit; circuitry
【计】 electrocircuit
【化】 circuit; electric circuit
【医】 circuit

专业解析

传输闸电路（Transmission Gate Circuit）是集成电路中用于控制信号通断的关键元件，其核心功能是通过互补金属氧化物半导体（CMOS）技术实现双向信号传输。以下从汉英词典角度分四部分解析其定义与特性：

中英文术语对照与定义
传输闸电路（Transmission Gate）由NMOS与PMOS晶体管并联构成，通过栅极电压控制源极与漏极间的导通状态。其英文定义为："A bidirectional switch that allows a signal to pass in both directions when activated, commonly used in analog and digital circuits."（《微电子电路设计》第四版，Richard C. Jaeger, 2015
工作原理
当控制端施加高电平（NMOS开启）和低电平（PMOS开启）时，电路呈现低阻抗通路（约200-500Ω），实现信号传输；反之则形成高阻抗隔离状态（>1MΩ）。该特性使其优于单一MOS管开关（IEEE标准文件#7420-2019。
结构特点
- 双向对称性：支持电压/电流的正反向传输（《CMOS集成电路设计手册》第三版，Baker R. Jacob, 2010
- 零阈值损耗：互补晶体管组合消除阈值电压降，适用于全摆幅信号传输
典型应用
在存储器单元（如SRAM）、数据选择器（Multiplexer）及可编程逻辑器件中，用于构建非机械式电子开关阵列。美国专利US6828824B1（2004）详细描述了其在FPGA布线资源中的应用方案。

网络扩展解释

传输闸电路（Transmission Gate Circuit）是数字电路中的一种基础元件，主要用于控制信号的导通与断开。其核心功能类似于一个“双向电子开关”，能够根据控制信号的状态，决定是否允许电流或电压信号通过。以下是对其关键点的详细解释：

1.结构与组成

传输闸通常由一对互补的MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）构成，即一个PMOS管和一个NMOS管并联。两者的栅极分别连接互补的控制信号（如C和¬C）。这种结构设计利用了PMOS和NMOS的互补特性：PMOS在传输高电平信号时导通电阻小，而NMOS在传输低电平信号时导通电阻小，从而在宽电压范围内保持较低的导通电阻。

2.工作原理

导通状态：当控制信号C为高电平（NMOS导通）、¬C为低电平（PMOS导通）时，传输闸导通，允许信号从输入端（A）传输到输出端（B），反之亦可（因双向性）。
断开状态：当控制信号C为低电平、¬C为高电平时，两管均截止，输入输出之间呈高阻态，信号无法通过。

3.特点与优势

双向传输：信号可从任意一端传输到另一端，适用于需要双向数据流的场景（如总线）。
低导通电阻：相比单一MOSFET开关，互补结构减少了导通损耗。
宽电压兼容性：支持从地电平（GND）到电源电压（VDD）的全范围信号传输。

4.典型应用

模拟开关：用于选择或切换模拟信号通路（如音频信号路由）。
数据选择器/多路复用器：在数字系统中选择不同输入信号。
存储器单元：如DRAM中用于读写位线信号的控制。
可编程逻辑器件（PLD）：实现灵活的逻辑互联。

5.电路符号与公式

传输闸的电路符号通常表示为：

A ——╫╫—— B
 TG（C,¬C）

其导通条件可表示为逻辑表达式：
$$ TG_{on} = C cdot ¬C' $$
（当C=1且¬C=0时导通）

若需进一步了解具体电路设计或应用实例，建议参考集成电路设计教材或CMOS技术手册。