傳輸閘電路英文解釋翻譯、傳輸閘電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transmission gate

分詞翻譯：

傳輸的英語翻譯：

transmission; transmit
【計】 transfers; transmission; transput; X; XFER

閘的英語翻譯：

brake; gate; sluice gate; switch
【化】 brake
【醫】 switch

電路的英語翻譯：

circuit; circuitry
【計】 electrocircuit
【化】 circuit; electric circuit
【醫】 circuit

專業解析

傳輸閘電路（Transmission Gate Circuit）是集成電路中用于控制信號通斷的關鍵元件，其核心功能是通過互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術實現雙向信號傳輸。以下從漢英詞典角度分四部分解析其定義與特性：

中英文術語對照與定義
傳輸閘電路（Transmission Gate）由NMOS與PMOS晶體管并聯構成，通過栅極電壓控制源極與漏極間的導通狀态。其英文定義為："A bidirectional switch that allows a signal to pass in both directions when activated, commonly used in analog and digital circuits."（《微電子電路設計》第四版，Richard C. Jaeger, 2015
工作原理
當控制端施加高電平（NMOS開啟）和低電平（PMOS開啟）時，電路呈現低阻抗通路（約200-500Ω），實現信號傳輸；反之則形成高阻抗隔離狀态（>1MΩ）。該特性使其優于單一MOS管開關（IEEE标準文件#7420-2019。
結構特點
- 雙向對稱性：支持電壓/電流的正反向傳輸（《CMOS集成電路設計手冊》第三版，Baker R. Jacob, 2010
- 零阈值損耗：互補晶體管組合消除阈值電壓降，適用于全擺幅信號傳輸
典型應用
在存儲器單元（如SRAM）、數據選擇器（Multiplexer）及可編程邏輯器件中，用于構建非機械式電子開關陣列。美國專利US6828824B1（2004）詳細描述了其在FPGA布線資源中的應用方案。

網絡擴展解釋

傳輸閘電路（Transmission Gate Circuit）是數字電路中的一種基礎元件，主要用于控制信號的導通與斷開。其核心功能類似于一個“雙向電子開關”，能夠根據控制信號的狀态，決定是否允許電流或電壓信號通過。以下是對其關鍵點的詳細解釋：

1.結構與組成

傳輸閘通常由一對互補的MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）構成，即一個PMOS管和一個NMOS管并聯。兩者的栅極分别連接互補的控制信號（如C和¬C）。這種結構設計利用了PMOS和NMOS的互補特性：PMOS在傳輸高電平信號時導通電阻小，而NMOS在傳輸低電平信號時導通電阻小，從而在寬電壓範圍内保持較低的導通電阻。

2.工作原理

導通狀态：當控制信號C為高電平（NMOS導通）、¬C為低電平（PMOS導通）時，傳輸閘導通，允許信號從輸入端（A）傳輸到輸出端（B），反之亦可（因雙向性）。
斷開狀态：當控制信號C為低電平、¬C為高電平時，兩管均截止，輸入輸出之間呈高阻态，信號無法通過。

3.特點與優勢

雙向傳輸：信號可從任意一端傳輸到另一端，適用于需要雙向數據流的場景（如總線）。
低導通電阻：相比單一MOSFET開關，互補結構減少了導通損耗。
寬電壓兼容性：支持從地電平（GND）到電源電壓（VDD）的全範圍信號傳輸。

4.典型應用

模拟開關：用于選擇或切換模拟信號通路（如音頻信號路由）。
數據選擇器/多路複用器：在數字系統中選擇不同輸入信號。
存儲器單元：如DRAM中用于讀寫位線信號的控制。
可編程邏輯器件（PLD）：實現靈活的邏輯互聯。

5.電路符號與公式

傳輸閘的電路符號通常表示為：

A ——╫╫—— B
 TG（C,¬C）

其導通條件可表示為邏輯表達式：
$$ TG_{on} = C cdot ¬C' $$
（當C=1且¬C=0時導通）

若需進一步了解具體電路設計或應用實例，建議參考集成電路設計教材或CMOS技術手冊。