逆向饱和电流英文解释翻译、逆向饱和电流的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 revers saturation current

converse
【计】 negative direction

【计】 saturation current
【医】 saturation current

在电子工程领域，"逆向饱和电流"（Reverse Saturation Current）是半导体器件（如二极管）的关键参数，其汉英对照及详细解释如下：

汉英对照
- 中文：逆向饱和电流（亦称反向饱和电流）
- 英文：Reverse Saturation Current（符号：$I_S$ 或 $I_0$）
核心定义
指PN结二极管在反向偏置电压下，当外加电压足够大时（通常 $-V_D gg kT/q$），反向电流达到的稳定极限值。该电流由少数载流子扩散形成，与反向电压大小无关，故称"饱和" 。
物理机制
- 少数载流子扩散：反向偏压下，P区的电子和N区的空穴被拉向结区，形成由热激发产生的少子扩散电流。
- 温度依赖性：遵循公式 $I_S propto T e^{-E_g/(kT)}$，其中 $E_g$ 为半导体禁带宽度，$k$ 为玻尔兹曼常数，$T$ 为温度。

材料特性
- 硅(Si)二极管：$I_S$ 量级约 $10^{-12}$–$10^{-15}$ A
- 锗(Ge)二极管：$I_S$ 量级约 $10^{-6}$–$10^{-9}$ A（因锗禁带宽度较小）。
温度效应
温度每升高10°C，$I_S$ 约增大1倍，显著影响器件高温稳定性。

理想二极管方程
肖克利方程（Shockley diode equation）中的核心参数：

$$ I_D = I_S left( e^{frac{V_D}{nV_T}} - 1 right) $$

其中 $V_T = kT/q$ 为热电压，$n$ 为发射系数。
电路设计影响
- 漏电流来源：在精密电路（如运算放大器输入级）中，$I_S$ 导致静态功耗和信号误差。
- 温度补偿设计：需通过负反馈或温度传感器抑制 $I_S$ 漂移。

半导体物理经典著作
Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices. McGraw-Hill. （理论推导与温度模型）链接
IEEE标准术语
IEEE Std 100-2000 Dictionary of IEEE Standards Terms. ("Reverse Saturation Current" 词条) 链接
国家标准
GB/T 2900.66-2004 《电工术语半导体器件和集成电路》. ("反向饱和电流" 定义)
工程应用指南
Horowitz, P., & Hill, W. The Art of Electronics. Cambridge University Press. （二极管选型与 $I_S$ 实测方法）链接

以上内容综合半导体物理理论与工程实践，涵盖术语定义、物理机制及设计影响，引用来源包括学术教材、国际标准及权威工程手册。

反向饱和电流是半导体器件（如二极管）在反向偏置电压下形成的一种特殊电流现象。以下从定义、形成机制和影响因素三方面详细解释：

反向饱和电流指当给PN结施加反向电压时，在特定电压范围内电流保持稳定，不再随电压增加而变化的现象。这种电流由少数载流子的漂移运动形成，数值通常在微安级（μA）甚至更低。

在太阳能电池中，暗电流包含反向饱和电流与其他漏电流成分。三极管也存在类似现象，如集电极反向饱和电流与发射极开路时的少子漂移相关。

建议需要具体参数时，可参考半导体器件手册中的反向饱和电流温度特性曲线（如I_S ∝ T³e^{-E_g/(kT)}），这类公式能更精确描述其物理本质。