逆向飽和電流英文解釋翻譯、逆向飽和電流的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 revers saturation current

converse
【計】 negative direction

【計】 saturation current
【醫】 saturation current

在電子工程領域，"逆向飽和電流"（Reverse Saturation Current）是半導體器件（如二極管）的關鍵參數，其漢英對照及詳細解釋如下：

漢英對照
- 中文：逆向飽和電流（亦稱反向飽和電流）
- 英文：Reverse Saturation Current（符號：$I_S$ 或 $I_0$）
核心定義
指PN結二極管在反向偏置電壓下，當外加電壓足夠大時（通常 $-V_D gg kT/q$），反向電流達到的穩定極限值。該電流由少數載流子擴散形成，與反向電壓大小無關，故稱"飽和" 。
物理機制
- 少數載流子擴散：反向偏壓下，P區的電子和N區的空穴被拉向結區，形成由熱激發産生的少子擴散電流。
- 溫度依賴性：遵循公式 $I_S propto T e^{-E_g/(kT)}$，其中 $E_g$ 為半導體禁帶寬度，$k$ 為玻爾茲曼常數，$T$ 為溫度。

材料特性
- 矽(Si)二極管：$I_S$ 量級約 $10^{-12}$–$10^{-15}$ A
- 鍺(Ge)二極管：$I_S$ 量級約 $10^{-6}$–$10^{-9}$ A（因鍺禁帶寬度較小）。
溫度效應
溫度每升高10°C，$I_S$ 約增大1倍，顯著影響器件高溫穩定性。

理想二極管方程
肖克利方程（Shockley diode equation）中的核心參數：

$$ I_D = I_S left( e^{frac{V_D}{nV_T}} - 1 right) $$

其中 $V_T = kT/q$ 為熱電壓，$n$ 為發射系數。
電路設計影響
- 漏電流來源：在精密電路（如運算放大器輸入級）中，$I_S$ 導緻靜态功耗和信號誤差。
- 溫度補償設計：需通過負反饋或溫度傳感器抑制 $I_S$ 漂移。

半導體物理經典著作
Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices. McGraw-Hill. （理論推導與溫度模型）鍊接
IEEE标準術語
IEEE Std 100-2000 Dictionary of IEEE Standards Terms. ("Reverse Saturation Current" 詞條) 鍊接
國家标準
GB/T 2900.66-2004 《電工術語半導體器件和集成電路》. ("反向飽和電流" 定義)
工程應用指南
Horowitz, P., & Hill, W. The Art of Electronics. Cambridge University Press. （二極管選型與 $I_S$ 實測方法）鍊接

以上内容綜合半導體物理理論與工程實踐，涵蓋術語定義、物理機制及設計影響，引用來源包括學術教材、國際标準及權威工程手冊。

反向飽和電流是半導體器件（如二極管）在反向偏置電壓下形成的一種特殊電流現象。以下從定義、形成機制和影響因素三方面詳細解釋：

反向飽和電流指當給PN結施加反向電壓時，在特定電壓範圍内電流保持穩定，不再隨電壓增加而變化的現象。這種電流由少數載流子的漂移運動形成，數值通常在微安級（μA）甚至更低。

在太陽能電池中，暗電流包含反向飽和電流與其他漏電流成分。三極管也存在類似現象，如集電極反向飽和電流與發射極開路時的少子漂移相關。

建議需要具體參數時，可參考半導體器件手冊中的反向飽和電流溫度特性曲線（如I_S ∝ T³e^{-E_g/(kT)}），這類公式能更精确描述其物理本質。