集极截止频率英文解释翻译、集极截止频率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 collector cutoff frequency

分词翻译：

集极的英语翻译：

【电】 collector

截止频率的英语翻译：

【计】 cut-off frequency
【化】 cut-off frequency

专业解析

集极截止频率（Collector Cutoff Frequency），通常用符号 ( fT ) 表示，是双极结型晶体管（BJT）的关键高频参数。它定义为晶体管共发射极电流增益 ( beta )（即 ( h{fe} )）的幅值下降到 1（0 dB）时所对应的工作频率。此时，晶体管失去电流放大能力，输出电流等于输入电流。

其数学表达式为： $$ f_T = frac{gm}{2pi (C{pi} + C_{mu})} $$ 其中：

( g_m ) 是晶体管的跨导（Transconductance），反映输入电压对输出电流的控制能力；
( C_{pi} ) 是发射结扩散电容；
( C_{mu} ) 是集电结势垒电容（或称反馈电容）。

工程意义与应用：

高频性能标尺：( f_T ) 直接决定晶体管放大或开关信号的最高可用频率，是射频电路、高速数字电路选型的重要依据。例如，设计 GHz 级放大器时需选择 ( f_T ) 远高于工作频率的晶体管。
工艺优化指标：半导体工艺中通过减小基区宽度、优化掺杂降低结电容等手段提升 ( f_T )，如硅锗异质结晶体管（SiGe HBT）因能带工程显著提高 ( f_T )。
系统设计参考：实际电路的工作频率通常需低于 ( f_T/3 sim f_T/5 ) 以保证增益和稳定性，避免因寄生效应导致性能恶化。

权威参考文献：

Gray, P. R., Hurst, P. J., Lewis, S. H., & Meyer, R. G. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (5th ed.). Wiley. 第 1.5 章详细推导 ( f_T ) 与 BJT 内部参数的关系。
Razavi, B. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. McGraw-Hill. 第 2.3 节对比 BJT 与 MOSFET 的 ( f_T ) 特性。
IEEE Standard 113-1971 Definitions of Terms for Semiconductor Electron Devices，明确定义 ( f_T ) 为增益带宽积（GBP）。
半导体器件物理经典教材：Sze, S. M., & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Wiley-Interscience. 第 5.4.3 节分析基区渡越时间对 ( f_T ) 的限制。

网络扩展解释

截止频率在不同领域有不同定义，而“集极截止频率”这一表述可能涉及晶体管的高频特性。以下是综合解释：

一、基本概念

集极截止频率（通常称为晶体管截止频率）是衡量双极型晶体管（BJT）高频性能的关键参数，指晶体管在共射极配置下电流放大系数（β）下降至低频值的70.7%（即-3dB点）时的频率。这标志着晶体管有效放大能力的上限。

二、物理意义

高频性能限制
当工作频率超过此值时，晶体管内部结电容（如集电结电容）和载流子渡越时间的影响加剧，导致电流增益显著下降。
公式表达
截止频率与晶体管参数的关系可表示为： $$ f_{beta} = frac{1}{2pi cdot tau} $$ 其中，$tau$为载流子基区渡越时间与结电容充放电时间的总和。

三、应用场景

放大器设计：决定电路带宽，高频放大需选择截止频率高的晶体管。
射频电路：影响振荡器、混频器等高频模块的稳定性。

四、相关参数对比

参数	定义	关系
截止频率$f_{beta}$	β下降至低频值的0.707倍时的频率	$f_{beta} = f_T / beta$
特征频率$f_T$	β下降至1时的频率（电流增益带宽积）	$fT approx beta cdot f{beta}$

注：若需更专业的半导体参数分析，建议参考器件手册或高频电路设计资料。