集極截止頻率英文解釋翻譯、集極截止頻率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 collector cutoff frequency

分詞翻譯：

集極的英語翻譯：

【電】 collector

截止頻率的英語翻譯：

【計】 cut-off frequency
【化】 cut-off frequency

專業解析

集極截止頻率（Collector Cutoff Frequency），通常用符號 ( fT ) 表示，是雙極結型晶體管（BJT）的關鍵高頻參數。它定義為晶體管共發射極電流增益 ( beta )（即 ( h{fe} )）的幅值下降到 1（0 dB）時所對應的工作頻率。此時，晶體管失去電流放大能力，輸出電流等于輸入電流。

其數學表達式為： $$ f_T = frac{gm}{2pi (C{pi} + C_{mu})} $$ 其中：

( g_m ) 是晶體管的跨導（Transconductance），反映輸入電壓對輸出電流的控制能力；
( C_{pi} ) 是發射結擴散電容；
( C_{mu} ) 是集電結勢壘電容（或稱反饋電容）。

工程意義與應用：

高頻性能标尺：( f_T ) 直接決定晶體管放大或開關信號的最高可用頻率，是射頻電路、高速數字電路選型的重要依據。例如，設計 GHz 級放大器時需選擇 ( f_T ) 遠高于工作頻率的晶體管。
工藝優化指标：半導體工藝中通過減小基區寬度、優化摻雜降低結電容等手段提升 ( f_T )，如矽鍺異質結晶體管（SiGe HBT）因能帶工程顯著提高 ( f_T )。
系統設計參考：實際電路的工作頻率通常需低于 ( f_T/3 sim f_T/5 ) 以保證增益和穩定性，避免因寄生效應導緻性能惡化。

權威參考文獻：

Gray, P. R., Hurst, P. J., Lewis, S. H., & Meyer, R. G. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (5th ed.). Wiley. 第 1.5 章詳細推導 ( f_T ) 與 BJT 内部參數的關系。
Razavi, B. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. McGraw-Hill. 第 2.3 節對比 BJT 與 MOSFET 的 ( f_T ) 特性。
IEEE Standard 113-1971 Definitions of Terms for Semiconductor Electron Devices，明确定義 ( f_T ) 為增益帶寬積（GBP）。
半導體器件物理經典教材：Sze, S. M., & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices (3rd ed.). Wiley-Interscience. 第 5.4.3 節分析基區渡越時間對 ( f_T ) 的限制。

網絡擴展解釋

截止頻率在不同領域有不同定義，而“集極截止頻率”這一表述可能涉及晶體管的高頻特性。以下是綜合解釋：

一、基本概念

集極截止頻率（通常稱為晶體管截止頻率）是衡量雙極型晶體管（BJT）高頻性能的關鍵參數，指晶體管在共射極配置下電流放大系數（β）下降至低頻值的70.7%（即-3dB點）時的頻率。這标志着晶體管有效放大能力的上限。

二、物理意義

高頻性能限制
當工作頻率超過此值時，晶體管内部結電容（如集電結電容）和載流子渡越時間的影響加劇，導緻電流增益顯著下降。
公式表達
截止頻率與晶體管參數的關系可表示為： $$ f_{beta} = frac{1}{2pi cdot tau} $$ 其中，$tau$為載流子基區渡越時間與結電容充放電時間的總和。

三、應用場景

放大器設計：決定電路帶寬，高頻放大需選擇截止頻率高的晶體管。
射頻電路：影響振蕩器、混頻器等高頻模塊的穩定性。

四、相關參數對比

參數	定義	關系
截止頻率$f_{beta}$	β下降至低頻值的0.707倍時的頻率	$f_{beta} = f_T / beta$
特征頻率$f_T$	β下降至1時的頻率（電流增益帶寬積）	$fT approx beta cdot f{beta}$

注：若需更專業的半導體參數分析，建議參考器件手冊或高頻電路設計資料。