硅二极管英文解释翻译、硅二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 silicon diode

分词翻译：

硅的英语翻译：

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

硅二极管（Silicon Diode）详解

硅二极管是一种基于硅（Silicon）半导体材料制成的双端电子器件，其核心结构为PN结（P-N Junction）。当P型（空穴导电）与N型（电子导电）硅材料结合时，界面处形成耗尽层，赋予其单向导电性：电流仅能从阳极（P区）流向阴极（N区），反向则阻断电流。这一特性使其成为电路中的关键元件，用于整流、开关及电压保护等场景。

核心特性与工作原理

正向导通特性
当阳极电压高于阴极（正向偏置），且压差超过阈值电压（约0.7V）时，耗尽层消失，电流导通。硅材料的较高禁带宽度（1.1eV）使其阈值电压高于锗二极管（0.3V），但耐高温性更优。
反向阻断特性
反向偏置时，耗尽层增宽，仅允许极小的漏电流（纳安级）。若反向电压超过击穿电压，可能引发雪崩击穿（可控）或热击穿（器件损坏）。
开关速度与频率响应
硅二极管的反向恢复时间（从导通到完全关断的延迟）影响高频性能。快恢复二极管（如FR系列）通过优化掺杂工艺缩短此时间，适用于开关电源等高频电路。

典型应用场景

整流电路：将交流电（AC）转换为直流电（DC），如电源适配器中的桥式整流堆。
电压钳位保护：并联在敏感器件两端，吸收浪涌电压（如TVS二极管）。
逻辑电路与信号隔离：利用单向导电性实现信号定向传输。
温度传感：利用正向压降的温度依赖性（约-2mV/℃）进行温度测量。

硅二极管 vs. 锗二极管

特性	硅二极管	锗二极管
阈值电压	0.6–0.7V	0.2–0.3V
反向漏电流	极低（nA级）	较高（μA级）
工作温度范围	-55°C至+150°C	-55°C至+85°C
成本与可靠性	低成本、高可靠性	易受热损坏

权威定义参考来源

《半导体器件物理与工艺》（施敏）：经典教材详细解析PN结形成机制与二极管特性。
IEEE标准术语库：定义二极管为“两端子半导体器件，主要功能为单向电流控制”（IEEE Std 100）。
电子工程百科全书（EEWeb）：硅二极管参数与应用指南（eeweb.com/silicon-diodes）。

注：硅二极管因其稳定性与成熟工艺，已成为现代电子系统的基石器件，适用于工业、消费电子及通信领域。

网络扩展解释

硅二极管是以硅半导体材料为核心制成的二极管，具有单向导电性，广泛应用于电子电路中。以下是其关键特性及工作原理的综合说明：

一、基本结构与材料

硅二极管由P型半导体和N型半导体结合形成PN结构成。与锗二极管相比，硅材料具有更高的热稳定性和更低的成本，因此成为主流选择。

二、工作原理

正向偏置
当阳极（P区）接正电压、阴极（N区）接负电压时，PN结内电场被削弱，电流可通过，二极管导通。
反向偏置
电压方向相反时，内电场增强，电流被阻断，二极管截止。
击穿现象
反向电压超过阈值时，可能发生击穿（如齐纳击穿或雪崩击穿），但需通过设计控制此现象。

三、分类与特点

按结构可分为：

点接触型：适用于高频小电流场景（如检波）。
面接触型：用于大电流整流电路。
平面型：兼具大电流处理能力和高稳定性，多用于开关电路。

四、优缺点

优点：
耐高温性强、反向漏电流小、寿命长且成本低。
缺点：
正向导通压降较高（约0.7V），且温度升高时导通电流会减小。

五、典型应用

整流：将交流电转为直流电。
稳压：利用齐纳二极管特性稳定电压。
信号处理：高频电路中用于检波或调制。
保护电路：防止反向电流损坏设备。

如需更深入的技术参数或具体型号选型建议，可参考权威电子工程手册或半导体厂商资料。