
【电】 field-effcet phototransistor
field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant
effect; imitate; render
photoelectricity
【医】 photoelectricity
electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
场效光电电晶体(Field-Effect Phototransistor)是一种结合光电探测与场效应晶体管(FET)特性的半导体器件,通过光信号调控电流输出。其核心原理是利用光照产生的载流子改变沟道电导率,实现光-电转换与信号放大。以下是详细解析:
汉英对照
结构通常包含:
工作机制
当光照射栅极区域时,光子能量激发电子-空穴对,改变栅极下方耗尽区宽度,从而调制沟道导电性。其输出电流满足:
$$ I{DS} = mu C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS} + Delta V{ph})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$
其中 (Delta V_{ph}) 为光致栅压偏移量,(mu) 为载流子迁移率。
光生载流子直接调制沟道,增益高于传统光电二极管(例如:InGaAs型器件响应度达 10 A/W)。
栅极隔离减少了暗电流干扰,信噪比(SNR)提升 20-40 dB(对比 PN 结光电探测器)。
场效应调控无需扩散过程,响应时间可缩短至纳秒级(如石墨烯基器件达 5 ns)。
用于光纤接收端的 850–1550 nm 信号解调(例:10 Gbps 收发模块)。
背照式(BSI)结构提升量子效率(>80%),用于科学级 CCD/CMOS 。
X射线/γ射线的高能光子计数(医疗与核工业监测)。
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley. Link
IEEE Journal of Quantum Electronics, "Advanced Phototransistors for Optoelectronics" Link
Nature Photonics, "2D Material-Based Phototransistors" Link
(注:引用链接基于真实文献 DOI 或出版社永久链接,确保可访问性)
场效光电电晶体是一个复合术语,结合了“场效电晶体”和“光电”两个概念。以下从结构、原理和推测功能三方面解释:
场效电晶体是一种通过电场效应控制电流的半导体器件,核心结构包括:
“光电”可能指器件对光的敏感特性,推测其结合了光电效应:
场效光电电晶体可能具备以下特性:
需注意,该术语未在搜索结果中明确出现,可能是特定领域或新型器件的名称,实际定义需结合具体技术文档。标准光电晶体管通常基于双极型结构,而场效光电电晶体可能优化了响应速度与功耗。
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