金属氧化物半导体英文解释翻译、金属氧化物半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 MOS

分词翻译：

金属氧化物的英语翻译：

【计】 dysphasia

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Semiconductor，简称MOS）是半导体器件中的核心结构，特指由金属（或高掺杂多晶硅）层、绝缘氧化物层（通常为二氧化硅）和半导体基底（如硅）组成的三明治式分层结构。该结构是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的基础，也是现代集成电路（如CPU、存储器）的物理基础。以下是详细解释：

一、术语拆解与中英对照

金属（Metal）
指栅极材料，早期使用铝等金属，现代工艺改用重掺杂多晶硅（仍称"金属层"）。功能：施加电压控制沟道通断。

氧化物（Oxide）
通常为二氧化硅（SiO₂）或其他高介电常数材料（如HfO₂）。作用：绝缘层，隔离栅极与半导体衬底，防止电流泄漏。

半导体（Semiconductor）
常用硅（Si）或锗（Ge）晶体。特性：通过掺杂形成P型或N型区域，构建源极（Source）、漏极（Drain）和沟道（Channel）。

二、工作原理

当栅极施加电压时，氧化物层下方的半导体表面会形成反型层（Inversion Layer）：

N沟道MOS：正电压吸引电子，形成导电沟道。
P沟道MOS：负电压吸引空穴，形成导电沟道。
此效应通过电场控制沟道载流子浓度，实现电流开关（场效应原理）。

三、核心特性与优势

高输入阻抗
氧化物绝缘层使栅极几乎无电流输入，降低驱动功耗。

低静态功耗
关断时漏电流极小，适合大规模集成。

可微缩性
尺寸可随工艺进步持续缩小（摩尔定律），推动芯片性能提升。

四、典型应用

MOSFET：CPU、内存芯片的基本开关单元。
CMOS技术：互补式MOS（N型+P型），主导现代逻辑电路设计。
传感器：如CMOS图像传感器（CIS），利用光电效应转换光信号。
功率器件：高压MOSFET用于电源管理。

五、权威定义参考

IEEE标准定义：
MOS结构是通过绝缘栅极调控半导体表面导电性的固态器件（IEEE Xplore）。

半导体物理经典理论：
栅压诱导的能带弯曲形成反型层，是MOSFET工作的物理基础（参见S.M. Sze《半导体器件物理》）。

产业应用：
全球90%以上集成电路基于MOS技术（国际半导体产业协会报告）。

来源说明：

IEEE Xplore电子工程数据库
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley
SEMI International Standards
英特尔技术白皮书《MOSFET Scaling Challenges》

网络扩展解释

金属氧化物半导体（Metal Oxide Semiconductor，简称MOS）是由金属氧化物材料构成的半导体，其导电性能介于导体与绝缘体之间，可通过掺杂或外部条件调控。以下是综合各领域信息的详细解析：

一、定义与组成

基本构成
由金属元素（如铟、镓、锌、锡等）与氧元素结合形成化合物，例如IGZO（氧化铟镓锌）、ITZO（氧化铟锡锌）等。
半导体特性
电导率受环境气氛影响：在氧化气氛中导电率增加的为p型半导体，在还原气氛中导电率增加的为n型半导体。

二、核心特性

性能优势
具有高电子迁移率、稳定性好、成本低的特点，适用于高频、低功耗场景。
可调控性
通过掺杂不同元素或改变氧分压，可灵活调整导电类型（p型/n型）和电学性能。

三、分类方式

按材料组成：分为单一金属氧化物（如ZnO）和复合金属氧化物（如IGZO）。
按导电类型：分为n型（如SnO₂）和p型（如CuO），两者互补可构成CMOS（互补型集成电路）。

四、主要应用领域

集成电路
MOS技术是制造逻辑电路、存储器的核心材料，尤其CMOS芯片广泛应用于计算机和数字设备。
显示技术
作为薄膜晶体管（TFT）的沟道层材料，提升屏幕的驱动性能，用于高分辨率显示屏。
传感器
利用电导率随环境变化的特性，制作气体、温度等传感器。

五、制备工艺

非单晶材料可通过金属直接氧化或化学沉积法（如金属氯化物水解）制得。

扩展说明：金属氧化物半导体的低功耗特性使其成为物联网设备、可穿戴技术的理想选择，而高集成度优势推动了微电子器件的微型化发展。