晶体管偏压英文解释翻译、晶体管偏压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transistor biasing

分词翻译：

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

偏压的英语翻译：

【电】 bias; bias voltage

专业解析

晶体管偏压（transistor biasing）是电子工程中的核心概念，指通过外部电路为晶体管提供特定电压或电流，使其工作点（Q点）稳定在特定区域（如放大区、截止区或饱和区）的技术。这一操作确保晶体管在信号处理过程中能够线性放大输入信号或实现可靠的开关功能。

从功能角度看，晶体管偏压主要实现以下目标：

设置静态工作点：通过基极-发射极电压（$V{BE}$）和集电极-发射极电压（$V{CE}$）的调节，使晶体管脱离非线性区域，避免信号失真（参考《微电子电路》第五版）。
温度稳定性：采用分压式偏置等电路结构，补偿因温度变化引起的β值漂移（IEEE固态电路期刊, 2019年技术报告）。
模式选择：通过不同的偏置组合（如正向偏置发射结/反向偏置集电结），控制晶体管工作在放大模式或开关模式。

常见偏置电路类型包括固定基极偏置、分压器偏置和射极反馈偏置。以分压器偏置为例，其电路方程可表示为： $$ V_B = frac{R_2}{R_1 + R2} cdot V{CC} I_E = frac{VB - V{BE}}{R_E} $$ 该设计显著提升了工作点的温度稳定性（《电子电路分析与设计》第11章）。

在工业应用中，美国国家半导体公司（现属TI）的AN-20应用手册指出，精确的偏置设计可使放大器总谐波失真降低至0.01%以下。现代集成电路普遍采用有源负载和电流镜技术实现精确偏置，这类方法在《模拟CMOS集成电路设计》中有详细数学推导。

网络扩展解释

晶体管偏压（Bias Voltage）是确保晶体管正常工作的关键电压配置，主要作用是为晶体管提供稳定的工作点，使其处于放大状态。以下是详细解释：

基本定义
晶体管偏压指在晶体管电路中，通过外部电路设置的特定电压，使基极-发射极（B-E）之间形成正向偏置，集电极-基极（C-B）之间形成反向偏置。这种配置确保晶体管处于放大区，能够有效放大输入信号。
作用原理
- B-E结正偏：基极电压高于发射极，使载流子（如电子或空穴）注入基区，形成基极电流。
- C-B结反偏：集电极电压高于基极，形成强电场以收集扩散到基区的载流子，实现电流放大。
  若未正确设置偏压，晶体管可能处于截止区（无法导通）或饱和区（无法放大），导致信号失真。
直流偏置电压
指晶体管无信号输入时，基极与发射极之间的直流电压。该电压由外部电源通过电阻分压等电路提供，确保静态工作点稳定。
应用场景
常见于放大器、振荡器等模拟电路。例如，在音频放大器中，偏压设置直接影响信号放大的线性度和效率。

晶体管偏压是控制其工作状态的核心参数，通过合理设计偏置电路，可优化晶体管的放大性能。如需进一步了解具体偏置电路（如分压式偏置），建议参考专业电子技术资料。