晶體管偏壓英文解釋翻譯、晶體管偏壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transistor biasing

分詞翻譯：

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

偏壓的英語翻譯：

【電】 bias; bias voltage

專業解析

晶體管偏壓（transistor biasing）是電子工程中的核心概念，指通過外部電路為晶體管提供特定電壓或電流，使其工作點（Q點）穩定在特定區域（如放大區、截止區或飽和區）的技術。這一操作确保晶體管在信號處理過程中能夠線性放大輸入信號或實現可靠的開關功能。

從功能角度看，晶體管偏壓主要實現以下目标：

設置靜态工作點：通過基極-發射極電壓（$V{BE}$）和集電極-發射極電壓（$V{CE}$）的調節，使晶體管脫離非線性區域，避免信號失真（參考《微電子電路》第五版）。
溫度穩定性：采用分壓式偏置等電路結構，補償因溫度變化引起的β值漂移（IEEE固态電路期刊, 2019年技術報告）。
模式選擇：通過不同的偏置組合（如正向偏置發射結/反向偏置集電結），控制晶體管工作在放大模式或開關模式。

常見偏置電路類型包括固定基極偏置、分壓器偏置和射極反饋偏置。以分壓器偏置為例，其電路方程可表示為： $$ V_B = frac{R_2}{R_1 + R2} cdot V{CC} I_E = frac{VB - V{BE}}{R_E} $$ 該設計顯著提升了工作點的溫度穩定性（《電子電路分析與設計》第11章）。

在工業應用中，美國國家半導體公司（現屬TI）的AN-20應用手冊指出，精确的偏置設計可使放大器總諧波失真降低至0.01%以下。現代集成電路普遍采用有源負載和電流鏡技術實現精确偏置，這類方法在《模拟CMOS集成電路設計》中有詳細數學推導。

網絡擴展解釋

晶體管偏壓（Bias Voltage）是确保晶體管正常工作的關鍵電壓配置，主要作用是為晶體管提供穩定的工作點，使其處于放大狀态。以下是詳細解釋：

基本定義
晶體管偏壓指在晶體管電路中，通過外部電路設置的特定電壓，使基極-發射極（B-E）之間形成正向偏置，集電極-基極（C-B）之間形成反向偏置。這種配置确保晶體管處于放大區，能夠有效放大輸入信號。
作用原理
- B-E結正偏：基極電壓高于發射極，使載流子（如電子或空穴）注入基區，形成基極電流。
- C-B結反偏：集電極電壓高于基極，形成強電場以收集擴散到基區的載流子，實現電流放大。
  若未正确設置偏壓，晶體管可能處于截止區（無法導通）或飽和區（無法放大），導緻信號失真。
直流偏置電壓
指晶體管無信號輸入時，基極與發射極之間的直流電壓。該電壓由外部電源通過電阻分壓等電路提供，确保靜态工作點穩定。
應用場景
常見于放大器、振蕩器等模拟電路。例如，在音頻放大器中，偏壓設置直接影響信號放大的線性度和效率。

晶體管偏壓是控制其工作狀态的核心參數，通過合理設計偏置電路，可優化晶體管的放大性能。如需進一步了解具體偏置電路（如分壓式偏置），建議參考專業電子技術資料。