超崩电压英文解释翻译、超崩电压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 breakover voltage

分词翻译：

超的英语翻译：

exceed; go beyond; overtake
【计】 hyperactive
【医】 per-; ultra-

崩的英语翻译：

collapse; demise

电压的英语翻译：

tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage

专业解析

超崩电压（Super Avalanche Voltage）是电力电子与半导体器件领域的专业术语，指半导体器件（如二极管、晶闸管）在承受反向偏压时，超出雪崩击穿临界点后仍能维持可控工作的最高电压阈值。其核心机制是载流子在强电场下发生碰撞电离形成雪崩倍增效应，但器件结构设计使其在该电压范围内避免热失控损坏。

关键特性解析：

术语定义
- 中文：超崩电压（又称“超崩溃电压”）
- 英文：Super Avalanche Voltage 或 Controlled Avalanche Voltage
  指器件在雪崩击穿状态下可安全耗散能量的极限电压值，超过此值将导致不可逆损坏。
物理机制
当反向电压超过雪崩击穿电压（V_{BR}）时，载流子碰撞电离产生电子-空穴对，形成雪崩电流。超崩电压通过器件结构优化（如掺金工艺、台面设计）扩展雪崩区的稳定范围，使功率耗散可控，避免局部热点引发的热击穿。
工程特性
- 安全裕度：设计需满足 $V{super av} > 1.3 times V{BR}$，确保瞬态过压容忍度；
- 动态响应：在高 di/dt 场景下（如感性负载关断），超崩电压承受能力决定器件可靠性；
- 温度依赖性：随结温升高而降低，需在数据手册中标注降额曲线。

典型应用场景：

保护电路：TVS二极管（瞬态电压抑制器）依赖超崩特性吸收浪涌能量；
功率开关：IGBT/MOSFET的续流二极管需优化超崩耐量以应对换流过压；
工业标准：IEC 60747-8 规定超崩电压的测试条件为脉冲宽度≤10ms，避免热积累干扰。

安全提示：实际应用中需严格遵循数据手册的 V_{super av} 限值，超过该阈值可能引发器件爆炸性失效（见UL 1449安全认证要求）。

权威参考来源：

IEEE Xplore: Semiconductor Avalanche Breakdown Characteristics
IEC Standard 60747-8: Discrete semiconductor devices - Part 8: Thyristors
ON Semiconductor Application Note: Avalanche Ruggedness Rating

网络扩展解释

"超崩电压"这一术语在电子工程领域中可能指代"崩溃电压"（Breakdown Voltage），但更准确的表述应为"击穿电压"。以下是详细解释：

基本定义崩溃电压是电子元件（如二极管、绝缘体等）在反向偏压作用下发生电击穿现象的最低电压阈值。当施加电压超过该值时，器件会失去绝缘能力，导致电流急剧增大。
物理机制
- 雪崩击穿：高电场加速载流子，引发连锁碰撞产生新载流子（类似雪崩效应），常见于低掺杂材料
- 齐纳击穿：高掺杂材料中载流子通过量子隧穿效应穿透耗尽层，多发生于窄禁带半导体
关键影响因素
- 掺杂浓度：掺杂浓度每降低一个数量级，崩溃电压可提升约5-10倍（N型硅为例）
- 材料特性：如氮化镓的崩溃电压可达硅材料的10倍以上
- 温度效应：温度每升高50℃，硅器件的崩溃电压下降约3-5%

注：标准术语中未发现"超崩电压"的独立定义，建议在技术文档中优先使用"击穿电压"或"崩溃电压"（Breakdown Voltage）。如需更精确的参数计算，可结合具体器件的掺杂分布和结构参数进行分析。