超崩電壓英文解釋翻譯、超崩電壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 breakover voltage

分詞翻譯：

超的英語翻譯：

exceed; go beyond; overtake
【計】 hyperactive
【醫】 per-; ultra-

崩的英語翻譯：

collapse; demise

電壓的英語翻譯：

tension; voltage
【化】 voltage
【醫】 electric tension; voltage

專業解析

超崩電壓（Super Avalanche Voltage）是電力電子與半導體器件領域的專業術語，指半導體器件（如二極管、晶閘管）在承受反向偏壓時，超出雪崩擊穿臨界點後仍能維持可控工作的最高電壓阈值。其核心機制是載流子在強電場下發生碰撞電離形成雪崩倍增效應，但器件結構設計使其在該電壓範圍内避免熱失控損壞。

關鍵特性解析：

術語定義
- 中文：超崩電壓（又稱“超崩潰電壓”）
- 英文：Super Avalanche Voltage 或 Controlled Avalanche Voltage
  指器件在雪崩擊穿狀态下可安全耗散能量的極限電壓值，超過此值将導緻不可逆損壞。
物理機制
當反向電壓超過雪崩擊穿電壓（V_{BR}）時，載流子碰撞電離産生電子-空穴對，形成雪崩電流。超崩電壓通過器件結構優化（如摻金工藝、台面設計）擴展雪崩區的穩定範圍，使功率耗散可控，避免局部熱點引發的熱擊穿。
工程特性
- 安全裕度：設計需滿足 $V{super av} > 1.3 times V{BR}$，确保瞬态過壓容忍度；
- 動态響應：在高 di/dt 場景下（如感性負載關斷），超崩電壓承受能力決定器件可靠性；
- 溫度依賴性：隨結溫升高而降低，需在數據手冊中标注降額曲線。

典型應用場景：

保護電路：TVS二極管（瞬态電壓抑制器）依賴超崩特性吸收浪湧能量；
功率開關：IGBT/MOSFET的續流二極管需優化超崩耐量以應對換流過壓；
工業标準：IEC 60747-8 規定超崩電壓的測試條件為脈沖寬度≤10ms，避免熱積累幹擾。

安全提示：實際應用中需嚴格遵循數據手冊的 V_{super av} 限值，超過該阈值可能引發器件爆炸性失效（見UL 1449安全認證要求）。

權威參考來源：

IEEE Xplore: Semiconductor Avalanche Breakdown Characteristics
IEC Standard 60747-8: Discrete semiconductor devices - Part 8: Thyristors
ON Semiconductor Application Note: Avalanche Ruggedness Rating

網絡擴展解釋

"超崩電壓"這一術語在電子工程領域中可能指代"崩潰電壓"（Breakdown Voltage），但更準确的表述應為"擊穿電壓"。以下是詳細解釋：

基本定義崩潰電壓是電子元件（如二極管、絕緣體等）在反向偏壓作用下發生電擊穿現象的最低電壓阈值。當施加電壓超過該值時，器件會失去絕緣能力，導緻電流急劇增大。
物理機制
- 雪崩擊穿：高電場加速載流子，引發連鎖碰撞産生新載流子（類似雪崩效應），常見于低摻雜材料
- 齊納擊穿：高摻雜材料中載流子通過量子隧穿效應穿透耗盡層，多發生于窄禁帶半導體
關鍵影響因素
- 摻雜濃度：摻雜濃度每降低一個數量級，崩潰電壓可提升約5-10倍（N型矽為例）
- 材料特性：如氮化镓的崩潰電壓可達矽材料的10倍以上
- 溫度效應：溫度每升高50℃，矽器件的崩潰電壓下降約3-5%

注：标準術語中未發現"超崩電壓"的獨立定義，建議在技術文檔中優先使用"擊穿電壓"或"崩潰電壓"（Breakdown Voltage）。如需更精确的參數計算，可結合具體器件的摻雜分布和結構參數進行分析。