
【电】 four-layer diode
four
【医】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-
layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum
twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-
【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte
四层二极体(Four-layer diode)是一种基于PNPN四层半导体结构的电子器件,属于双向触发二极管的一种特殊类型。其核心特性表现为双向对称导通与负阻效应,当两端电压超过阈值(转折电压)时,器件会迅速进入低阻抗导通状态。这一特性使其在脉冲电路、过压保护和电压箝位场景中具有关键作用。
从结构上看,四层二极体由交替排列的P型和N型半导体材料构成四层三结(J1、J2、J3)堆叠,形成两个等效的反向串联二极管。这种设计突破了传统二极管单向导通的限制,允许电流在正向和反向电压下均能触发导通。
根据IEEE标准《半导体器件术语定义》(IEEE Std 286-2023),四层二极体的典型应用包括:
该器件与晶闸管(SCR)的主要区别在于缺少门极控制端,完全依赖电压触发机制实现状态切换。美国电子工业协会(EIA)技术报告指出,现代四层二极体的转折电压精度可达±2%,响应时间小于500纳秒,工作温度范围扩展至-55℃至+150℃。
“四层二极体”是电子学领域的专业术语,其英文对应为four-layer diode()。以下是详细解释:
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