光電阻英文解釋翻譯、光電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 light resistance

photoelectricity
【醫】 photoelectricity

block; hinder; obstruct
【醫】 lock

光電阻（Photoresistor）又稱光敏電阻或光導電阻，是一種基于半導體材料的光電器件，其電阻值隨入射光強度變化而改變。在電子工程領域，其英文術語為"Light Dependent Resistor (LDR)"或"Photoconductive Cell"。

核心特性

工作原理：基于光電導效應，當光子能量大于半導體材料的禁帶寬度時，價帶電子躍遷至導帶，産生電子-空穴對，從而降低電阻值。暗态電阻可達兆歐級，強光下可降至千歐以下。
材料構成：常用硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）等II-VI族化合物半導體，其中CdS光譜響應最接近人眼敏感範圍（400-700nm）。
響應特性：具有毫秒級響應速度，但存在光惰性現象（光照停止後需數秒恢複暗态電阻）。

工程應用

根據美國國家标準與技術研究院（NIST）的測試規範，典型光電阻在100 lux照度下的電阻變化率應大于3個數量級。英國物理學會（IOP）的研究表明，CdS光電阻在25°C環境溫度下的溫度系數約為-0.3%/°C。

光電阻是一種基于光電導效應工作的特殊電子元件，以下是詳細解釋：

定義與原理
光電阻（又稱光敏電阻）是當光線照射時電阻值發生變化的半導體器件。其核心原理是内光電效應（光電導效應），即光照使半導體材料内部載流子濃度增加，從而降低電阻率。
材料與結構
通常由硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）等半導體材料制成，表面塗覆防潮樹脂保護層以增強環境適應性。結構上可分為光敏層、電極層和基底層。
特點與應用
具有暗電阻（無光照時約兆歐級）和亮電阻（光照時千歐級）兩種狀态，常見于光控開關、煙霧報警器、相機測光系統等需要光強檢測的場景。
注意區分其他概念