
【电】 light resistance
photoelectricity
【医】 photoelectricity
block; hinder; obstruct
【医】 lock
光电阻(Photoresistor)又称光敏电阻或光导电阻,是一种基于半导体材料的光电器件,其电阻值随入射光强度变化而改变。在电子工程领域,其英文术语为"Light Dependent Resistor (LDR)"或"Photoconductive Cell"。
核心特性
工程应用
根据美国国家标准与技术研究院(NIST)的测试规范,典型光电阻在100 lux照度下的电阻变化率应大于3个数量级。英国物理学会(IOP)的研究表明,CdS光电阻在25°C环境温度下的温度系数约为-0.3%/°C。
光电阻是一种基于光电导效应工作的特殊电子元件,以下是详细解释:
定义与原理
光电阻(又称光敏电阻)是当光线照射时电阻值发生变化的半导体器件。其核心原理是内光电效应(光电导效应),即光照使半导体材料内部载流子浓度增加,从而降低电阻率。
材料与结构
通常由硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)等半导体材料制成,表面涂覆防潮树脂保护层以增强环境适应性。结构上可分为光敏层、电极层和基底层。
特点与应用
具有暗电阻(无光照时约兆欧级)和亮电阻(光照时千欧级)两种状态,常见于光控开关、烟雾报警器、相机测光系统等需要光强检测的场景。
注意区分其他概念
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