薄膜多層布線英文解釋翻譯、薄膜多層布線的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 thin-film multilayer wiring

分詞翻譯：

薄膜的英語翻譯：

film; membrane; pellicle
【計】 thin membrane; thin-film
【醫】 film

多層布線的英語翻譯：

【計】 multilayer interconnection; multilayer metallization; multilayer wiring

專業解析

薄膜多層布線（Thin Film Multilayer Interconnect）是微電子制造中的關鍵技術，指在半導體芯片或封裝基闆上，通過真空沉積、光刻和蝕刻等工藝逐層構建的金屬與介質交替堆疊的微細互連結構。其核心特征及專業解釋如下：

一、術語定義與結構解析

薄膜（Thin Film）
指厚度在納米至微米級的金屬（如銅、鋁）或介質（如二氧化矽、聚酰亞胺）層，通過物理氣相沉積（PVD）或化學氣相沉積（CVD）形成，區别于厚膜技術。
多層布線（Multilayer Interconnect）
在單一基闆上垂直堆疊多個互連層，層間通過介質隔離，并通過“通孔”（Via）實現電氣連接。典型結構包含：
- 導體層：傳輸電信號；
- 介質層：提供絕緣與機械支撐；
- 通孔：填充金屬（如鎢）實現層間導通。

二、核心功能與技術優勢

高密度集成
多層結構顯著提升單位面積的布線密度，支持複雜集成電路（如CPU、GPU）的微縮化。例如，5nm制程芯片可包含超過15層金屬布線。
性能優化
- 信號完整性：縮短導線長度，降低寄生電容/電感，提升高頻響應；
- 功耗控制：低電阻金屬（銅）減少能耗；
- 熱管理：介質層分散局部熱累積。
三維集成拓展
通過矽通孔（TSV）技術實現芯片堆疊（3D IC），突破平面布線瓶頸，支持高帶寬内存（HBM）等先進封裝。

三、典型應用場景

高端半導體器件
邏輯芯片（FinFET/GAA晶體管）、射頻模塊（毫米波天線）的互連架構。

先進封裝
扇出型晶圓級封裝（FO-WLP）、系統級封裝（SiP）中的再分布層（RDL）。

MEMS/傳感器
微機電系統的信號引線與電極構造。

權威參考文獻

半導體制造技術
《Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing》

Peter Van Zant, McGraw-Hill（薄膜工藝标準教材）

IEEE電子器件學會
《Journal of Microelectromechanical Systems》

多層布線在MEMS中的應用

國際半導體技術路線圖（ITRS）
《Interconnect Chapter, ITRS 2015 Edition》

技術演進與挑戰分析

以上内容綜合電子工程領域權威出版物與技術标準，确保術語解釋的準确性與行業適用性。

網絡擴展解釋

薄膜多層布線是一種應用于電子封裝領域的高密度互連技術，主要通過交替堆疊導電層和絕緣層實現複雜電路設計。以下是其核心要點：

一、定義與結構

薄膜多層布線由多層平面型線路構成，通常包含上線路層、隔離層、下線路層三部分。各層材料通過印刷工藝在柔性基材（如PET薄膜）上形成導電線路，其中：

導電材料：銀漿或碳漿用于線路制作，銀漿導電性更優，碳漿常用于防腐蝕區域；
絕緣材料：絕緣墨隔離線路交叉點，防止短路；
隔離層：雙面膠層粘合并分隔上下線路，受壓時導通形成開關功能。

二、技術特點

高密度互連：線條寬度可低至微米級，線間距小，布線密度顯著高于傳統PCB；
高頻性能優：信號傳輸速度快，適合高頻及微波器件封裝；
柔性設計：基材采用彈性薄膜，適用于可彎曲電子設備；
工藝控制：需解決層間翹曲問題，通過交替堆疊樹脂絕緣層與導體層提升穩定性。

三、應用領域

主要用于三維封裝、集成電路、高功率微波器件及高頻通信設備，例如雷達模塊、衛星通信系統等對小型化和高頻特性要求嚴苛的場景。

四、材料權衡

銀漿線路導電性最佳但成本高，銀碳複合線路成本降低但電阻較大，需根據具體需求選擇。