薄膜多层布线英文解释翻译、薄膜多层布线的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 thin-film multilayer wiring

分词翻译：

薄膜的英语翻译：

film; membrane; pellicle
【计】 thin membrane; thin-film
【医】 film

多层布线的英语翻译：

【计】 multilayer interconnection; multilayer metallization; multilayer wiring

专业解析

薄膜多层布线（Thin Film Multilayer Interconnect）是微电子制造中的关键技术，指在半导体芯片或封装基板上，通过真空沉积、光刻和蚀刻等工艺逐层构建的金属与介质交替堆叠的微细互连结构。其核心特征及专业解释如下：

一、术语定义与结构解析

薄膜（Thin Film）
指厚度在纳米至微米级的金属（如铜、铝）或介质（如二氧化硅、聚酰亚胺）层，通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）形成，区别于厚膜技术。
多层布线（Multilayer Interconnect）
在单一基板上垂直堆叠多个互连层，层间通过介质隔离，并通过“通孔”（Via）实现电气连接。典型结构包含：
- 导体层：传输电信号；
- 介质层：提供绝缘与机械支撑；
- 通孔：填充金属（如钨）实现层间导通。

二、核心功能与技术优势

高密度集成
多层结构显著提升单位面积的布线密度，支持复杂集成电路（如CPU、GPU）的微缩化。例如，5nm制程芯片可包含超过15层金属布线。
性能优化
- 信号完整性：缩短导线长度，降低寄生电容/电感，提升高频响应；
- 功耗控制：低电阻金属（铜）减少能耗；
- 热管理：介质层分散局部热累积。
三维集成拓展
通过硅通孔（TSV）技术实现芯片堆叠（3D IC），突破平面布线瓶颈，支持高带宽内存（HBM）等先进封装。

三、典型应用场景

高端半导体器件
逻辑芯片（FinFET/GAA晶体管）、射频模块（毫米波天线）的互连架构。

先进封装
扇出型晶圆级封装（FO-WLP）、系统级封装（SiP）中的再分布层（RDL）。

MEMS/传感器
微机电系统的信号引线与电极构造。

权威参考文献

半导体制造技术
《Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing》

Peter Van Zant, McGraw-Hill（薄膜工艺标准教材）

IEEE电子器件学会
《Journal of Microelectromechanical Systems》

多层布线在MEMS中的应用

国际半导体技术路线图（ITRS）
《Interconnect Chapter, ITRS 2015 Edition》

技术演进与挑战分析

以上内容综合电子工程领域权威出版物与技术标准，确保术语解释的准确性与行业适用性。

网络扩展解释

薄膜多层布线是一种应用于电子封装领域的高密度互连技术，主要通过交替堆叠导电层和绝缘层实现复杂电路设计。以下是其核心要点：

一、定义与结构

薄膜多层布线由多层平面型线路构成，通常包含上线路层、隔离层、下线路层三部分。各层材料通过印刷工艺在柔性基材（如PET薄膜）上形成导电线路，其中：

导电材料：银浆或碳浆用于线路制作，银浆导电性更优，碳浆常用于防腐蚀区域；
绝缘材料：绝缘墨隔离线路交叉点，防止短路；
隔离层：双面胶层粘合并分隔上下线路，受压时导通形成开关功能。

二、技术特点

高密度互连：线条宽度可低至微米级，线间距小，布线密度显著高于传统PCB；
高频性能优：信号传输速度快，适合高频及微波器件封装；
柔性设计：基材采用弹性薄膜，适用于可弯曲电子设备；
工艺控制：需解决层间翘曲问题，通过交替堆叠树脂绝缘层与导体层提升稳定性。

三、应用领域

主要用于三维封装、集成电路、高功率微波器件及高频通信设备，例如雷达模块、卫星通信系统等对小型化和高频特性要求严苛的场景。

四、材料权衡

银浆线路导电性最佳但成本高，银碳复合线路成本降低但电阻较大，需根据具体需求选择。