反偏的英文解釋翻譯、反偏的的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 reversed-biased

分詞翻譯：

反的英語翻譯：

in reverse; on the contrary; turn over
【醫】 contra-; re-; trans-

偏的英語翻譯：

deflection; leaning; partial; prejudiced; slanting
【化】 meta-
【醫】 meta-

專業解析

在漢英詞典視角下，“反偏的”是一個專業術語，主要應用于電子工程（尤其是半導體領域），其核心含義及解釋如下：

一、基礎釋義

反偏的（fǎn piān de）

英文對應：Reverse-biased

詞性：形容詞（Adjective）

定義：指在半導體器件（如二極管、晶體管）中，對PN結施加外部電壓時，正極接N區、負極接P區的狀态。此狀态下，多數載流子被拉離結區，形成耗盡層，阻礙電流通過。

二、技術詳解

工作原理
反偏時，外加電場方向與PN結内建電場方向一緻，導緻耗盡層變寬，電阻增大，僅存在極小的反向飽和電流（由少數載流子形成）。

示例：二極管反偏時表現為高電阻态，電流近似為零（理想情況下）。
典型應用場景
- 二極管整流：反偏阻斷反向電流，實現交流轉直流。
- 光電探測器：反偏增大耗盡區，提升光子吸收效率。
- MOSFET隔離：源漏極反偏确保溝道關閉。

三、權威來源參考

《牛津電子工程詞典》（Oxford Dictionary of Electronics）
定義反向偏置為："A voltage applied to a semiconductor junction in the direction that causes minimal current flow."

（來源：Oxford University Press）
IEEE标準術語庫（IEEE Standard Terms for Semiconductor Devices）
明确反偏狀态是器件截止或隔離的必要條件，強調其在電路保護中的關鍵作用。

（來源：IEEE Xplore Digital Library）
半導體物理學經典教材
如《Semiconductor Physics and Devices》（Donald Neamen）：

通過載流子擴散模型解釋反偏對耗盡層寬度的影響（公式：$W = sqrt{frac{2epsilons (V{bi}+V_R)}{qN}}$）。

（來源：McGraw-Hill Education）

四、例句與語境

中文：當二極管處于反偏的狀态時，其反向電流極小。
英文：The diode exhibits negligible current whenreverse-biased.

技術領域提示：該術語極少用于日常英語，需結合上下文（如電路分析、器件手冊）理解。建議查閱專業文獻或标準（如IEEE 1276）獲取完整技術規範。

網絡擴展解釋

“反偏”一詞在不同領域有不同含義，以下是主要解釋方向：

一、電子學中的定義（主要應用場景）

在半導體器件（如二極管、三極管）中，“反偏”指對PN結施加反向電壓的狀态：

正向偏置（正偏）：P型半導體接高電位，N型接低電位，電流易導通。
反向偏置（反偏）：P型接低電位，N型接高電位，形成高電阻狀态，電流幾乎不導通。例如三極管基極反偏時，集電極與發射極截止。

二、統計學中的延伸含義

在數據分布描述中，反偏（負偏态）指分布曲線左側尾部更長，數據集中在右側，存在較小極端值。其偏度系數為負數，與正偏分布形成對稱關系。

三、字詞構成解析

反：會意字，本義為手心翻轉，引申為“相反方向”。
偏：形聲字，原指“不正”，引申為“非對稱狀态”。

補充說明

該詞在不同語境下需結合領域判斷具體含義。電子學中的反偏屬于專業術語，而統計學中的反偏屬于形态描述術語。