反偏的英文解释翻译、反偏的的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 reversed-biased

分词翻译：

反的英语翻译：

in reverse; on the contrary; turn over
【医】 contra-; re-; trans-

偏的英语翻译：

deflection; leaning; partial; prejudiced; slanting
【化】 meta-
【医】 meta-

专业解析

在汉英词典视角下，“反偏的”是一个专业术语，主要应用于电子工程（尤其是半导体领域），其核心含义及解释如下：

一、基础释义

反偏的（fǎn piān de）

英文对应：Reverse-biased

词性：形容词（Adjective）

定义：指在半导体器件（如二极管、晶体管）中，对PN结施加外部电压时，正极接N区、负极接P区的状态。此状态下，多数载流子被拉离结区，形成耗尽层，阻碍电流通过。

二、技术详解

工作原理
反偏时，外加电场方向与PN结内建电场方向一致，导致耗尽层变宽，电阻增大，仅存在极小的反向饱和电流（由少数载流子形成）。

示例：二极管反偏时表现为高电阻态，电流近似为零（理想情况下）。
典型应用场景
- 二极管整流：反偏阻断反向电流，实现交流转直流。
- 光电探测器：反偏增大耗尽区，提升光子吸收效率。
- MOSFET隔离：源漏极反偏确保沟道关闭。

三、权威来源参考

《牛津电子工程词典》（Oxford Dictionary of Electronics）
定义反向偏置为："A voltage applied to a semiconductor junction in the direction that causes minimal current flow."

（来源：Oxford University Press）
IEEE标准术语库（IEEE Standard Terms for Semiconductor Devices）
明确反偏状态是器件截止或隔离的必要条件，强调其在电路保护中的关键作用。

（来源：IEEE Xplore Digital Library）
半导体物理学经典教材
如《Semiconductor Physics and Devices》（Donald Neamen）：

通过载流子扩散模型解释反偏对耗尽层宽度的影响（公式：$W = sqrt{frac{2epsilons (V{bi}+V_R)}{qN}}$）。

（来源：McGraw-Hill Education）

四、例句与语境

中文：当二极管处于反偏的状态时，其反向电流极小。
英文：The diode exhibits negligible current whenreverse-biased.

技术领域提示：该术语极少用于日常英语，需结合上下文（如电路分析、器件手册）理解。建议查阅专业文献或标准（如IEEE 1276）获取完整技术规范。

网络扩展解释

“反偏”一词在不同领域有不同含义，以下是主要解释方向：

一、电子学中的定义（主要应用场景）

在半导体器件（如二极管、三极管）中，“反偏”指对PN结施加反向电压的状态：

正向偏置（正偏）：P型半导体接高电位，N型接低电位，电流易导通。
反向偏置（反偏）：P型接低电位，N型接高电位，形成高电阻状态，电流几乎不导通。例如三极管基极反偏时，集电极与发射极截止。

二、统计学中的延伸含义

在数据分布描述中，反偏（负偏态）指分布曲线左侧尾部更长，数据集中在右侧，存在较小极端值。其偏度系数为负数，与正偏分布形成对称关系。

三、字词构成解析

反：会意字，本义为手心翻转，引申为“相反方向”。
偏：形声字，原指“不正”，引申为“非对称状态”。

补充说明

该词在不同语境下需结合领域判断具体含义。电子学中的反偏属于专业术语，而统计学中的反偏属于形态描述术语。