電洞陷阱英文解釋翻譯、電洞陷阱的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 hole trap

分詞翻譯：

電洞的英語翻譯：

【電】 electron hole; hole

陷阱的英語翻譯：

trap; pit; pitfall; catch; hook; mesh; noose; snare; springe
【化】 trap

專業解析

電洞陷阱（Hole Trap）的漢英詞典解釋與半導體物理機制

在半導體物理學中，“電洞陷阱”（英文：Hole Trap）指晶體材料中能捕獲價帶空穴（即“電洞”）的局域化缺陷能級。其核心機制是材料内部存在的晶格缺陷、雜質原子或界面态，在禁帶中形成低于本征費米能級的能态。當電洞（帶正電荷的載流子）運動至該缺陷位置時，會被其束縛并暫時失去導電能力，直至通過熱激發或外部能量釋放。

物理特性與影響：

捕獲過程：電洞陷阱通過庫侖引力捕獲價帶空穴，降低載流子遷移率。陷阱能級深度（離價帶頂的能量差）決定其束縛強度，深陷阱（>0.5 eV）可長期囚禁載流子。
材料相關性：常見于非晶矽、金屬氧化物半導體（如IGZO）及鈣钛礦材料中，與氧空位、金屬間隙原子等缺陷密切相關。
器件性能影響：在晶體管與太陽能電池中，電洞陷阱導緻阈值電壓漂移、漏電流增加及光電轉換效率衰減，是器件可靠性的關鍵限制因素。

檢測與抑制技術：

表征方法：深能級瞬态譜（DLTS）和熱激電流（TSC）可量化陷阱能級密度與分布。
鈍化策略：通過氫鈍化（如a-Si:H）或界面鈍化層（如Al₂O₃）飽和懸挂鍵，降低陷阱活性。實驗表明氫化處理可使非晶矽薄膜陷阱密度降低1-2個數量級。

權威參考文獻：

半導體器件物理與工藝（施敏, 伍國珏著）第3章載流子輸運機制
IEEE 電子器件彙刊：”Oxide Trap Effects in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors” (Vol. 62, pp. 2569-2575)
應用物理評論：”Defect passivation in perovskite solar cells” (DOI: 10.1063/5.0063470)

網絡擴展解釋

“電洞陷阱”是電子學或半導體物理領域的專業術語，其含義需結合“電洞”和“陷阱”兩個部分理解：

電洞（Hole）
指半導體中由于電子離開原有位置形成的空位，表現為帶正電的載流子，是導電的重要機制之一（）。
陷阱（Trap）
原指捕捉動物或使人陷入困境的裝置，在物理學中引申為材料中的缺陷或雜質，能捕獲載流子（如電子或空穴），阻礙其自由移動（）。
電洞陷阱（Hole Trap）
特指能捕獲“電洞”（空穴）的陷阱。這類陷阱會束縛空穴的移動，影響半導體的導電性能，常見于材料晶格缺陷、雜質或界面态中（）。

應用場景：在半導體器件（如晶體管、太陽能電池）中，電洞陷阱可能導緻載流子複合率增加，從而降低器件效率。研究如何減少陷阱密度是材料優化的重要方向。

若需更深入的技術細節（如具體物理機制），建議參考半導體物理相關文獻或教材。