电洞陷阱英文解释翻译、电洞陷阱的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 hole trap

分词翻译：

电洞的英语翻译：

【电】 electron hole; hole

陷阱的英语翻译：

trap; pit; pitfall; catch; hook; mesh; noose; snare; springe
【化】 trap

专业解析

电洞陷阱（Hole Trap）的汉英词典解释与半导体物理机制

在半导体物理学中，“电洞陷阱”（英文：Hole Trap）指晶体材料中能捕获价带空穴（即“电洞”）的局域化缺陷能级。其核心机制是材料内部存在的晶格缺陷、杂质原子或界面态，在禁带中形成低于本征费米能级的能态。当电洞（带正电荷的载流子）运动至该缺陷位置时，会被其束缚并暂时失去导电能力，直至通过热激发或外部能量释放。

物理特性与影响：

捕获过程：电洞陷阱通过库仑引力捕获价带空穴，降低载流子迁移率。陷阱能级深度（离价带顶的能量差）决定其束缚强度，深陷阱（>0.5 eV）可长期囚禁载流子。
材料相关性：常见于非晶硅、金属氧化物半导体（如IGZO）及钙钛矿材料中，与氧空位、金属间隙原子等缺陷密切相关。
器件性能影响：在晶体管与太阳能电池中，电洞陷阱导致阈值电压漂移、漏电流增加及光电转换效率衰减，是器件可靠性的关键限制因素。

检测与抑制技术：

表征方法：深能级瞬态谱（DLTS）和热激电流（TSC）可量化陷阱能级密度与分布。
钝化策略：通过氢钝化（如a-Si:H）或界面钝化层（如Al₂O₃）饱和悬挂键，降低陷阱活性。实验表明氢化处理可使非晶硅薄膜陷阱密度降低1-2个数量级。

权威参考文献：

半导体器件物理与工艺（施敏, 伍国珏著）第3章载流子输运机制
IEEE 电子器件汇刊：”Oxide Trap Effects in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors” (Vol. 62, pp. 2569-2575)
应用物理评论：”Defect passivation in perovskite solar cells” (DOI: 10.1063/5.0063470)

网络扩展解释

“电洞陷阱”是电子学或半导体物理领域的专业术语，其含义需结合“电洞”和“陷阱”两个部分理解：

电洞（Hole）
指半导体中由于电子离开原有位置形成的空位，表现为带正电的载流子，是导电的重要机制之一（）。
陷阱（Trap）
原指捕捉动物或使人陷入困境的装置，在物理学中引申为材料中的缺陷或杂质，能捕获载流子（如电子或空穴），阻碍其自由移动（）。
电洞陷阱（Hole Trap）
特指能捕获“电洞”（空穴）的陷阱。这类陷阱会束缚空穴的移动，影响半导体的导电性能，常见于材料晶格缺陷、杂质或界面态中（）。

应用场景：在半导体器件（如晶体管、太阳能电池）中，电洞陷阱可能导致载流子复合率增加，从而降低器件效率。研究如何减少陷阱密度是材料优化的重要方向。

若需更深入的技术细节（如具体物理机制），建议参考半导体物理相关文献或教材。