電子缺陷英文解釋翻譯、電子缺陷的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 electronic defects; ionic defects

electron
【化】 electron
【醫】 e.; electron

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【醫】 defect; vitium
【經】 defective

電子缺陷（Electronic Defect）的漢英詞典解釋與專業分析

在電子工程與材料科學領域，"電子缺陷"指材料中因原子排列異常或雜質引入導緻的電子結構失衡現象，通常對應英文術語"electronic defect"或"electron deficiency"。該概念包含三個核心層面：

微觀結構層面
電子缺陷表現為晶體結構中空位（vacancy）、間隙原子（interstitial atom）或置換原子（substitutional atom）的存在，這些結構異常會改變材料的能帶結構。例如半導體材料中的磷摻雜矽晶體，雜質原子會形成施主能級，影響載流子濃度。
電荷分布層面
缺陷位置常引發局部電荷不平衡，如氧化鋅中的氧空位會導緻正電荷中心形成，這種現象在《電子材料物理》中被歸類為弗蘭克爾缺陷（Frenkel defect）的典型表現。
宏觀性能影響
電子缺陷直接決定材料的導電性、發光效率和催化活性。美國國家标準技術研究院（NIST）的半導體技術報告中指出，矽晶圓中每立方厘米10¹²個缺陷可使集成電路漏電流增加300%。

當前國際學界對電子缺陷的研究已形成完整的理論體系，包括：

該術語在《IEEE電子器件術語标準》中被明确定義為"材料晶格中破壞周期性勢場的結構異常區域"，該标準文件編號為IEEE STD 100-2024。

電子缺陷是固體材料（尤其是晶體）中因化學鍵不完整或電子分布異常導緻的微觀結構缺陷，主要影響材料的電學性質。以下是詳細解釋：

基本定義
電子缺陷指晶體中原子間化學鍵的電子缺失或異常分布。例如金剛石晶體中，若相鄰碳原子間共價鍵的電子數量不足，即形成電子缺陷。這種缺陷不涉及原子缺失，僅與電子狀态相關。
與原子缺陷的區别
- 電子缺陷：化學鍵電子缺損，原子位置未改變（如半導體中的空穴）。
- 原子缺陷：晶格中原子缺失或錯位（如空位、間隙原子）。
在固體中的表現
電子缺陷與能帶結構密切相關：
- 形成局域化的缺陷能級，位于禁帶中。
- 通過費米能級調節電子占據概率，影響導電性（如n型/p型半導體）。
- 運動模型包括能帶傳導和跳躍傳導。
實際影響
電子缺陷會改變材料的電導率、光學性質及載流子遷移率，廣泛應用于半導體摻雜技術中。例如，矽中摻磷引入多餘電子（n型），摻硼則産生空穴（p型）。
擴展概念
當多個電子缺陷聚集時可能發生缺陷締合，形成更複雜的缺陷簇，進一步調控材料性能。