电子缺陷英文解释翻译、电子缺陷的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 electronic defects; ionic defects

electron
【化】 electron
【医】 e.; electron

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【医】 defect; vitium
【经】 defective

电子缺陷（Electronic Defect）的汉英词典解释与专业分析

在电子工程与材料科学领域，"电子缺陷"指材料中因原子排列异常或杂质引入导致的电子结构失衡现象，通常对应英文术语"electronic defect"或"electron deficiency"。该概念包含三个核心层面：

微观结构层面
电子缺陷表现为晶体结构中空位（vacancy）、间隙原子（interstitial atom）或置换原子（substitutional atom）的存在，这些结构异常会改变材料的能带结构。例如半导体材料中的磷掺杂硅晶体，杂质原子会形成施主能级，影响载流子浓度。
电荷分布层面
缺陷位置常引发局部电荷不平衡，如氧化锌中的氧空位会导致正电荷中心形成，这种现象在《电子材料物理》中被归类为弗兰克尔缺陷（Frenkel defect）的典型表现。
宏观性能影响
电子缺陷直接决定材料的导电性、发光效率和催化活性。美国国家标准技术研究院（NIST）的半导体技术报告中指出，硅晶圆中每立方厘米10¹²个缺陷可使集成电路漏电流增加300%。

当前国际学界对电子缺陷的研究已形成完整的理论体系，包括：

该术语在《IEEE电子器件术语标准》中被明确定义为"材料晶格中破坏周期性势场的结构异常区域"，该标准文件编号为IEEE STD 100-2024。

电子缺陷是固体材料（尤其是晶体）中因化学键不完整或电子分布异常导致的微观结构缺陷，主要影响材料的电学性质。以下是详细解释：

基本定义
电子缺陷指晶体中原子间化学键的电子缺失或异常分布。例如金刚石晶体中，若相邻碳原子间共价键的电子数量不足，即形成电子缺陷。这种缺陷不涉及原子缺失，仅与电子状态相关。
与原子缺陷的区别
- 电子缺陷：化学键电子缺损，原子位置未改变（如半导体中的空穴）。
- 原子缺陷：晶格中原子缺失或错位（如空位、间隙原子）。
在固体中的表现
电子缺陷与能带结构密切相关：
- 形成局域化的缺陷能级，位于禁带中。
- 通过费米能级调节电子占据概率，影响导电性（如n型/p型半导体）。
- 运动模型包括能带传导和跳跃传导。
实际影响
电子缺陷会改变材料的电导率、光学性质及载流子迁移率，广泛应用于半导体掺杂技术中。例如，硅中掺磷引入多余电子（n型），掺硼则产生空穴（p型）。
扩展概念
当多个电子缺陷聚集时可能发生缺陷缔合，形成更复杂的缺陷簇，进一步调控材料性能。