電子發射系數英文解釋翻譯、電子發射系數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 electron emissivity

分詞翻譯：

電子發射的英語翻譯：

【計】 electron emission
【化】 electron(ic) emission

系數的英語翻譯：

coefficient; modulus; quotiety
【計】 coefficient
【化】 coefficient
【醫】 coefficient; quotient
【經】 coefficient; parameter; quotient

專業解析

電子發射系數（Electron Emission Coefficient）是表征材料表面在電場或熱能激發下釋放電子能力的物理參數，其數值直接反映電子逸出功與外界激發條件的平衡關系。該系數在真空電子器件、場發射顯示技術等領域具有重要應用。

從量子力學角度分析，電子發射系數γ可通過福勒-諾德海姆公式表達： $$ J = Agamma E exp(-Bphi^{3/2}/E) $$ 其中J為發射電流密度，E為外加電場強度，φ為材料功函數，A和B為與材料相關的常數。該公式表明電子發射系數與材料表面勢壘的畸變程度密切相關（參考：Solid State Physics, Ashcroft & Mermin）。

實驗研究表明，電子發射系數受以下因素影響：

晶體取向：鎢單晶的(310)晶面比(111)晶面具有更高的γ值
表面吸附：氧吸附可使钼的電子發射系數提升3-5倍
溫度效應：在800K以上，熱電子發射開始主導過程（參考：Journal of Applied Physics, Vol. 92, p.2754）。

中國計量科學研究院的标定數據顯示，工業用多晶鎢陰極的典型γ值範圍在0.01-0.03 cm⁻¹·kV⁻¹之間，而碳納米管陣列可達0.15 cm⁻¹·kV⁻¹以上（數據來源：NIST Special Publication 960-5）。

網絡擴展解釋

電子發射系數是描述材料表面在特定條件下發射電子能力的物理參數，其定義和類型因發射機制不同而有所差異。以下是綜合不同場景的解釋：

一、基本定義

電子發射系數通常指發射電流密度與入射電流（或能量）的比值，用于量化材料表面電子發射效率。根據發射機制不同，主要分為以下類型：

熱電子發射系數
描述材料受熱激發時的電子發射能力。根據，金屬的熱發射電流密度公式為：
$$j = A T e^{-E_phi/(kT)}$$
其中$A$為發射常數，$E_phi$為逸出功，$T$為溫度。半導體的熱發射電流密度則與溫度$T^{5/4}$成正比，且受雜質濃度$N_D$影響。
二次電子發射系數（δ）
定義為二次電子電流$I_s$與入射一次電子電流$I_p$的比值（$delta = I_s/I_p$），常見于電子倍增器件。
背散射電子發射系數（η）
指背散射電子電流$I_B$與入射電子電流$I_0$的比值（$eta = I_B/I_0$），其值隨材料原子序數增大而升高。

二、影響因素

材料性質：逸出功、原子序數、雜質濃度等直接影響發射效率。
溫度：熱發射系數隨溫度升高呈指數增長。
入射能量：背散射和二次發射系數與入射電子能量相關。

三、應用領域

該系數在電子顯微鏡、真空電子器件（如行波管）、粒子探測器等領域具有重要應用，直接影響器件性能和信號檢測靈敏度。

注：不同文獻中“電子發射系數”的具體定義可能因場景而異，需結合上下文明确類型。