磁移位寄存器英文解釋翻譯、磁移位寄存器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 magnetic shift register

分詞翻譯：

磁的英語翻譯：

magnetism

移位寄存器的英語翻譯：

【計】 MOS shift register; shift register; shifting register
stepping register

專業解析

磁移位寄存器（Magnetic Shift Register）

漢英術語對照：

• 磁（Magnetic）：指利用磁性材料存儲數據
• 移位寄存器（Shift Register）：一種按位移動數據的數字電路

工作原理：

通過外部磁場控制磁性材料（如鐵氧體）的磁化方向，實現二進制數據（0/1）的存儲與移位。數據位在脈沖信號驅動下沿寄存器鍊逐位移動，完成串行輸入/輸出操作。

核心組件與技術特性：

1. 磁性存儲單元：每個單元存儲1比特數據，磁化狀态代表"0"或"1"（例如：南極向上=0，北極向上=1）。
2. 移位控制電路：施加交變磁場使相鄰單元磁化狀态同步轉移，實現數據位移（需外部驅動線圈與時鐘信號配合）。
3. 非易失性：斷電後磁性狀态保持不變，適用于早期計算機内存系統。

曆史應用場景：

20世紀60-70年代應用于大型機與工業控制系統，如IBM 360系列的部分外設緩存。因半導體存儲器發展（如DRAM），其體積大、功耗高的缺點導緻逐漸被淘汰。

權威參考來源：

1. IEEE Xplore文獻庫：Magnetic Domain Propagation for Shift Register Applications（1972）
2. IBM技術報告：Ferrite Core Shift Registers in Early Computing Systems（1968）
3. 《電子工程術語詞典》（科學出版社）："磁移位寄存器"詞條釋義（2015版）

注：當前主流技術已被半導體移位寄存器取代，但磁移位寄存器在存儲技術發展史中具有重要地位。

網絡擴展解釋

磁移位寄存器是一種基于磁性材料的數據存儲與傳輸器件，主要用于以串行方式逐位移動和存儲二進制信息。其核心原理是利用磁性材料的物理特性（如磁疇方向或磁泡移動）來表示和操作數據位。以下是詳細解釋：

1. 基本概念與原理

• 磁性存儲單元：每個數據位由磁性材料中的微小磁疇表示。例如，磁疇的南北極方向（或磁泡的存在/消失）對應二進制“0”和“1”。
• 移位機制：通過外部磁場或電流控制，使磁疇按特定路徑逐位移動，類似于傳統電子移位寄存器中觸發器鍊的逐級傳遞。例如，在磁泡存儲器中，旋轉磁場驅動磁泡沿預設軌道移動。

2. 關鍵技術類型

• 磁泡存儲器（Magnetic Bubble Memory）：1970-80年代的主流技術，利用磁性薄膜（如钆镓石榴石）中的圓柱形磁疇（磁泡）存儲數據，通過周期性磁場移動磁泡實現移位功能。
• 磁阻式移位寄存器：現代研究中探索的基于磁阻效應（如GMR、TMR）的器件，通過電流驅動磁疇壁運動實現數據移位，但尚未大規模應用。

3. 特點與優缺點

• 優點：
  • 非易失性：斷電後數據不丢失。
  • 抗輻射/耐極端環境：適合航空航天、工業控制等場景。
• 缺點：
  • 速度較慢：磁性材料響應時間比半導體器件長。
  • 容量限制：受限于物理磁疇密度，存儲密度低于現代閃存。

4. 應用與現狀

• 曆史應用：曾用于早期嵌入式系統、電話交換機等需可靠存儲的設備。
• 現狀：隨着半導體存儲技術（如Flash、DRAM）的發展，磁移位寄存器已逐漸被淘汰，僅在少數特殊領域或遺留系統中使用。

磁移位寄存器的核心在于通過磁場控制磁性單元的移動與狀态變化，實現數據存儲和串行傳輸。雖然其技術地位已被取代，但它為理解磁性存儲原理和非易失性存儲器發展提供了重要基礎。如需更現代的類似技術，可關注MRAM（磁阻隨機存儲器）等新型磁存儲方案。

分類

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