磁移位寄存器英文解释翻译、磁移位寄存器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 magnetic shift register

分词翻译：

磁的英语翻译：

magnetism

移位寄存器的英语翻译：

【计】 MOS shift register; shift register; shifting register
stepping register

专业解析

磁移位寄存器（Magnetic Shift Register）

汉英术语对照：

• 磁（Magnetic）：指利用磁性材料存储数据
• 移位寄存器（Shift Register）：一种按位移动数据的数字电路

工作原理：

通过外部磁场控制磁性材料（如铁氧体）的磁化方向，实现二进制数据（0/1）的存储与移位。数据位在脉冲信号驱动下沿寄存器链逐位移动，完成串行输入/输出操作。

核心组件与技术特性：

1. 磁性存储单元：每个单元存储1比特数据，磁化状态代表"0"或"1"（例如：南极向上=0，北极向上=1）。
2. 移位控制电路：施加交变磁场使相邻单元磁化状态同步转移，实现数据位移（需外部驱动线圈与时钟信号配合）。
3. 非易失性：断电后磁性状态保持不变，适用于早期计算机内存系统。

历史应用场景：

20世纪60-70年代应用于大型机与工业控制系统，如IBM 360系列的部分外设缓存。因半导体存储器发展（如DRAM），其体积大、功耗高的缺点导致逐渐被淘汰。

权威参考来源：

1. IEEE Xplore文献库：Magnetic Domain Propagation for Shift Register Applications（1972）
2. IBM技术报告：Ferrite Core Shift Registers in Early Computing Systems（1968）
3. 《电子工程术语词典》（科学出版社）："磁移位寄存器"词条释义（2015版）

注：当前主流技术已被半导体移位寄存器取代，但磁移位寄存器在存储技术发展史中具有重要地位。

网络扩展解释

磁移位寄存器是一种基于磁性材料的数据存储与传输器件，主要用于以串行方式逐位移动和存储二进制信息。其核心原理是利用磁性材料的物理特性（如磁畴方向或磁泡移动）来表示和操作数据位。以下是详细解释：

1. 基本概念与原理

• 磁性存储单元：每个数据位由磁性材料中的微小磁畴表示。例如，磁畴的南北极方向（或磁泡的存在/消失）对应二进制“0”和“1”。
• 移位机制：通过外部磁场或电流控制，使磁畴按特定路径逐位移动，类似于传统电子移位寄存器中触发器链的逐级传递。例如，在磁泡存储器中，旋转磁场驱动磁泡沿预设轨道移动。

2. 关键技术类型

• 磁泡存储器（Magnetic Bubble Memory）：1970-80年代的主流技术，利用磁性薄膜（如钆镓石榴石）中的圆柱形磁畴（磁泡）存储数据，通过周期性磁场移动磁泡实现移位功能。
• 磁阻式移位寄存器：现代研究中探索的基于磁阻效应（如GMR、TMR）的器件，通过电流驱动磁畴壁运动实现数据移位，但尚未大规模应用。

3. 特点与优缺点

• 优点：
  • 非易失性：断电后数据不丢失。
  • 抗辐射/耐极端环境：适合航空航天、工业控制等场景。
• 缺点：
  • 速度较慢：磁性材料响应时间比半导体器件长。
  • 容量限制：受限于物理磁畴密度，存储密度低于现代闪存。

4. 应用与现状

• 历史应用：曾用于早期嵌入式系统、电话交换机等需可靠存储的设备。
• 现状：随着半导体存储技术（如Flash、DRAM）的发展，磁移位寄存器已逐渐被淘汰，仅在少数特殊领域或遗留系统中使用。

磁移位寄存器的核心在于通过磁场控制磁性单元的移动与状态变化，实现数据存储和串行传输。虽然其技术地位已被取代，但它为理解磁性存储原理和非易失性存储器发展提供了重要基础。如需更现代的类似技术，可关注MRAM（磁阻随机存储器）等新型磁存储方案。

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