鍍線内存英文解釋翻譯、鍍線内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 plated wire memory

分詞翻譯：

鍍的英語翻譯：

plating

線的英語翻譯：

clue; line; string; stringy; thread; tie; verge; wire
【醫】 line; line Of occlusion; linea; lineae; lineae poplitea; mito-; nemato-
soleal line; strand; thread
【經】 line

内存的英語翻譯：

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

專業解析

鍍線内存（Plated Wire Memory）是20世紀60至70年代計算機領域使用的一種非易失性磁存儲技術。該技術通過将磁性合金材料（如坡莫合金）均勻鍍覆在銅導線上形成存儲介質，利用磁場方向改變實現二進制數據的寫入與讀取。

其核心工作原理包含三個技術特征：

環形磁化結構：鍍層材料形成閉合磁路，通過外部線圈産生的正交磁場改變局部磁化方向
非破壞性讀取：采用磁緻電阻效應檢測磁化狀态，讀取過程不改變存儲内容
微秒級訪問：典型存取時間約1微秒，優于同時期磁芯存儲器

該技術曾應用于阿波羅導航計算機（Apollo Guidance Computer）和軍用系統，最高存儲密度達到16kb/in²。但隨着半導體存儲器（DRAM）在1970年代中期的快速發展，鍍線内存因制造成本高、密度提升受限等缺點逐漸退出主流應用。

現代存儲技術中，類似原理在磁阻隨機存取存儲器（MRAM）中得到延續。美國國家标準技術研究院（NIST）的存儲技術演進報告指出，鍍線内存的磁各向異性控制方法為現代自旋電子存儲器件提供了重要技術參考。

網絡擴展解釋

關于“鍍線内存”這一詞彙，目前可查的公開資料中并未發現标準定義或廣泛使用的解釋。結合現有信息和推測分析如下：

可能的拆分理解
- 鍍線：通常指在金屬表面通過電鍍工藝形成特定塗層的導線，常見于電路闆制造。
- 内存：即計算機内部存儲器（RAM），用于臨時存儲運行中的程式和數據。
因此，“鍍線内存”可能指代某種采用特殊鍍線工藝制造的内存模塊，可能與電路設計或抗幹擾性相關。但此組合詞未見于主流技術文獻。
需核實的可能性
- 是否為術語誤寫（如“堆線内存”或“鍍層内存”）？
- 是否屬于特定領域或舊技術的表述？例如早期内存制造中的工藝術語。
建議
由于缺乏權威資料支持，建議提供更多上下文或核實術語準确性。若涉及專業領域，可參考相關行業手冊或咨詢硬件工程師。

如果需要進一步探讨内存相關知識，可補充提問具體技術細節（如DDR4、DRAM原理等）。