镀线内存英文解释翻译、镀线内存的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 plated wire memory

分词翻译：

镀的英语翻译：

plating

线的英语翻译：

clue; line; string; stringy; thread; tie; verge; wire
【医】 line; line Of occlusion; linea; lineae; lineae poplitea; mito-; nemato-
soleal line; strand; thread
【经】 line

内存的英语翻译：

【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

专业解析

镀线内存（Plated Wire Memory）是20世纪60至70年代计算机领域使用的一种非易失性磁存储技术。该技术通过将磁性合金材料（如坡莫合金）均匀镀覆在铜导线上形成存储介质，利用磁场方向改变实现二进制数据的写入与读取。

其核心工作原理包含三个技术特征：

环形磁化结构：镀层材料形成闭合磁路，通过外部线圈产生的正交磁场改变局部磁化方向
非破坏性读取：采用磁致电阻效应检测磁化状态，读取过程不改变存储内容
微秒级访问：典型存取时间约1微秒，优于同时期磁芯存储器

该技术曾应用于阿波罗导航计算机（Apollo Guidance Computer）和军用系统，最高存储密度达到16kb/in²。但随着半导体存储器（DRAM）在1970年代中期的快速发展，镀线内存因制造成本高、密度提升受限等缺点逐渐退出主流应用。

现代存储技术中，类似原理在磁阻随机存取存储器（MRAM）中得到延续。美国国家标准技术研究院（NIST）的存储技术演进报告指出，镀线内存的磁各向异性控制方法为现代自旋电子存储器件提供了重要技术参考。

网络扩展解释

关于“镀线内存”这一词汇，目前可查的公开资料中并未发现标准定义或广泛使用的解释。结合现有信息和推测分析如下：

可能的拆分理解
- 镀线：通常指在金属表面通过电镀工艺形成特定涂层的导线，常见于电路板制造。
- 内存：即计算机内部存储器（RAM），用于临时存储运行中的程序和数据。
因此，“镀线内存”可能指代某种采用特殊镀线工艺制造的内存模块，可能与电路设计或抗干扰性相关。但此组合词未见于主流技术文献。
需核实的可能性
- 是否为术语误写（如“堆线内存”或“镀层内存”）？
- 是否属于特定领域或旧技术的表述？例如早期内存制造中的工艺术语。
建议
由于缺乏权威资料支持，建议提供更多上下文或核实术语准确性。若涉及专业领域，可参考相关行业手册或咨询硬件工程师。

如果需要进一步探讨内存相关知识，可补充提问具体技术细节（如DDR4、DRAM原理等）。