堆垛層錯英文解釋翻譯、堆垛層錯的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 stacking fault

分詞翻譯：

垛的英語翻譯：

battlements; buttress

層的英語翻譯：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

錯的英語翻譯：

alternate; complex; fault; wrong
【醫】 allo-
【經】 miscount

專業解析

堆垛層錯（Stacking Fault）是晶體材料中一種重要的面缺陷，指晶體原子層在正常堆垛順序中出現的局部錯排現象。在漢英詞典中，其英文對應術語為 "Stacking Fault"，具體解釋如下：

定義與形成機制

堆垛層錯是指晶體結構中原子層偏離理想堆垛序列的區域。在密排結構（如面心立方FCC或密排六方HCP）中，原子層通常按特定順序堆疊（如FCC的ABCABC...，HCP的ABAB...）。當某一層原子位置發生偏移，導緻局部堆疊順序中斷（如FCC中出現ABABCABC序列），即形成堆垛層錯。其能量低于晶界，屬于低能缺陷。

類型與晶體結構關聯

本征層錯：抽除部分原子層導緻，如FCC晶體中缺失一層（ABC_BCA）。
非本征層錯：插入額外原子層造成（如ABC_B_ABC）。
HCP中的層錯：常見于Zn、Mg等材料，與位錯分解密切相關。

對材料性能的影響

力學性質：層錯能（SFE）越低，越易發生位錯分解和交滑移，影響加工硬化率（如不鏽鋼因低SFE而高韌性）。
相變行為：層錯可作為馬氏體形核點，例如奧氏體鋼中的層錯促發γ→ε相變。
電學性能：半導體中層錯可能成為載流子散射中心，降低電子遷移率。

觀測與表征方法

透射電子顯微鏡（TEM）是直接觀測層錯的核心技術，通過衍射襯度像中的條紋特征（明暗相間）可識别層錯面與柏氏矢量的關系。X射線衍射（XRD）也可通過峰位移或寬化間接分析層錯密度。

參考文獻

注：以上鍊接為示例性來源，實際内容需對應權威學術資源。

網絡擴展解釋

堆垛層錯是晶體學中一種常見的面缺陷，指原子層在堆垛過程中出現順序錯亂的現象，常見于密排結構（如面心立方、密排六方）材料中。具體解析如下：

1. 基本定義

在理想晶體中，原子層按照周期性規律堆疊（如面心立方的ABCABC順序）。當某一層間出現異常堆垛（如ABC→AC或ABAB順序被打亂），即形成堆垛層錯。這種缺陷僅影響局部原子排列，不改變整體晶體結構。

2. 類型與形成機制

抽出型層錯：某一原子層被抽出，導緻後續層序前移。
插入型層錯：額外插入一層原子，打亂原有堆疊順序。其形成多與不全位錯滑移有關，例如面心立方結構中通過$frac{a}{6}langle112rangle$不全位錯滑移産生。

3. 對材料性能的影響

能量變化：層錯能升高（低層錯能材料更易出現層錯）；
力學性能：可阻礙位錯運動，提高材料強度；
結構演變：在金屬間化合物（如Laves相）中，層錯可能導緻局部晶體結構轉變（如C14→C36結構）。

4. 實際案例

中科院金屬研究所發現，锆合金中的Laves相納米顆粒受單向壓縮載荷時，交叉密排面上的同步剪切會形成交叉堆垛層錯，這類缺陷顯著影響材料的變形機制和力學響應。

5. 與其他缺陷的對比

不同于位錯（線缺陷）或空位（點缺陷），堆垛層錯屬于二維面缺陷，其畸變能較低，但會破壞晶體周期性和電子衍射行為。