堆垛层错英文解释翻译、堆垛层错的近义词、反义词、例句
英语翻译:
【化】 stacking fault
相关词条:
1.fault
分词翻译:
垛的英语翻译:
battlements; buttress
层的英语翻译:
layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum
错的英语翻译:
alternate; complex; fault; wrong
【医】 allo-
【经】 miscount
专业解析
堆垛层错(Stacking Fault)是晶体材料中一种重要的面缺陷,指晶体原子层在正常堆垛顺序中出现的局部错排现象。在汉英词典中,其英文对应术语为 "Stacking Fault",具体解释如下:
定义与形成机制
堆垛层错是指晶体结构中原子层偏离理想堆垛序列的区域。在密排结构(如面心立方FCC或密排六方HCP)中,原子层通常按特定顺序堆叠(如FCC的ABCABC...,HCP的ABAB...)。当某一层原子位置发生偏移,导致局部堆叠顺序中断(如FCC中出现ABABCABC序列),即形成堆垛层错。其能量低于晶界,属于低能缺陷。
类型与晶体结构关联
- 本征层错:抽除部分原子层导致,如FCC晶体中缺失一层(ABC_BCA)。
- 非本征层错:插入额外原子层造成(如ABC_B_ABC)。
- HCP中的层错:常见于Zn、Mg等材料,与位错分解密切相关。
对材料性能的影响
- 力学性质:层错能(SFE)越低,越易发生位错分解和交滑移,影响加工硬化率(如不锈钢因低SFE而高韧性)。
- 相变行为:层错可作为马氏体形核点,例如奥氏体钢中的层错促发γ→ε相变。
- 电学性能:半导体中层错可能成为载流子散射中心,降低电子迁移率。
观测与表征方法
透射电子显微镜(TEM)是直接观测层错的核心技术,通过衍射衬度像中的条纹特征(明暗相间)可识别层错面与柏氏矢量的关系。X射线衍射(XRD)也可通过峰位移或宽化间接分析层错密度。
参考文献
- 剑桥大学材料系:晶体缺陷导论(理论机制)
- 美国物理联合会期刊:层错表征技术(实验方法)
- 材料人网:密排结构中的层错(结构类型)
- Springer《金属学报》:层错对相变的影响(性能关联)
注:以上链接为示例性来源,实际内容需对应权威学术资源。
网络扩展解释
堆垛层错是晶体学中一种常见的面缺陷,指原子层在堆垛过程中出现顺序错乱的现象,常见于密排结构(如面心立方、密排六方)材料中。具体解析如下:
1. 基本定义
在理想晶体中,原子层按照周期性规律堆叠(如面心立方的ABCABC顺序)。当某一层间出现异常堆垛(如ABC→AC或ABAB顺序被打乱),即形成堆垛层错。这种缺陷仅影响局部原子排列,不改变整体晶体结构。
2. 类型与形成机制
- 抽出型层错:某一原子层被抽出,导致后续层序前移。
- 插入型层错:额外插入一层原子,打乱原有堆叠顺序。
其形成多与不全位错滑移有关,例如面心立方结构中通过$frac{a}{6}langle112rangle$不全位错滑移产生。
3. 对材料性能的影响
- 能量变化:层错能升高(低层错能材料更易出现层错);
- 力学性能:可阻碍位错运动,提高材料强度;
- 结构演变:在金属间化合物(如Laves相)中,层错可能导致局部晶体结构转变(如C14→C36结构)。
4. 实际案例
中科院金属研究所发现,锆合金中的Laves相纳米颗粒受单向压缩载荷时,交叉密排面上的同步剪切会形成交叉堆垛层错,这类缺陷显著影响材料的变形机制和力学响应。
5. 与其他缺陷的对比
不同于位错(线缺陷)或空位(点缺陷),堆垛层错属于二维面缺陷,其畸变能较低,但会破坏晶体周期性和电子衍射行为。
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