多栅管英文解釋翻譯、多栅管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 multigrid tube

分詞翻譯：

多的英語翻譯：

excessive; many; more; much; multi-
【計】 multi
【醫】 multi-; pleio-; pleo-; pluri-; poly-

栅的英語翻譯：

bar

管的英語翻譯：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【醫】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

專業解析

在電子工程領域，"多栅管"（duō shān guǎn）指代具有多個栅極結構的晶體管，屬于現代半導體器件的核心元件。其專業釋義及技術内涵如下：

一、術語定義與核心特征

多栅管（Multigate Transistor/Multi-Gate FET）

指在單一晶體管結構中集成兩個及以上栅電極的場效應晶體管（FET）。通過多栅極協同控制溝道電流，顯著提升器件對溝道的靜電控制能力，抑制短溝道效應（Short-Channel Effects, SCE），適用于納米級集成電路設計。

核心特征：

三維溝道結構：栅極從多個方向包裹溝道（如雙栅、三栅、環栅等），增強栅控能力；
低功耗與高性能：在相同制程下，較傳統平面晶體管漏電流降低>50%，開關速度提升20-30% ；
尺寸微縮優勢：支持半導體工藝持續向5nm以下節點演進（如FinFET、GAA FET技術）。

二、技術演進與典型結構

FinFET（鳍式場效應晶體管）
- 結構：栅極三面包裹垂直鳍片狀溝道，形成"雙栅"或"三栅"控制；
- 應用：14nm至7nm工藝節點主流技術（Intel 22nm節點首次商用）。
GAA FET（環繞栅極晶體管）
- 結構：栅極360°環繞納米線/片狀溝道（如Nanosheet、Nanoribbon）；
- 優勢：進一步改善栅控精度，支撐3nm及以下工藝（三星3GAE、台積電N2技術）。

三、核心價值與應用領域

高性能計算：提升CPU/GPU運算效率，降低動态功耗（如蘋果A系列芯片、NVIDIA GPU）；
移動設備：延長電池續航（高通骁龍、聯發科天玑芯片）；
物聯網與AI：支持邊緣設備低功耗實時計算。

四、權威術語參考來源

IEEE電子器件學會（IEEE EDS）
《FinFET與多栅器件技術白皮書》定義多栅管為"通過結構創新解決摩爾定律物理極限的關鍵路徑" 。

IMEC（歐洲微電子研究中心）
研究報告指出GAA FET為"3nm後節點标準器件"，栅極數目與溝道維度正相關。

英特爾技術期刊
詳述FinFET從22nm到10nm的工程優化路徑，驗證多栅設計對漏電流的抑制效果。

術語翻譯對照

中文	英文	語境示例
多栅管	Multigate Transistor	學術文獻、器件物理研究
多栅晶體管	Multi-Gate FET (MGFET)	産業技術文檔、芯片設計手冊
鳍式晶體管	FinFET	7nm-16nm工藝節點商用芯片規格書
環繞栅晶體管	Gate-All-Around FET (GAA)	3nm及以下先進制程技術路線圖

網絡擴展解釋

多栅管是一種具有多個栅極結構的電子管，主要用于信號放大、變頻等電子電路中。以下是其核心信息的綜合解釋：

1.基本定義

多栅管（英文：multiple-grid tube 或 multigrid tube）屬于電子管的一種，其結構特點是在陰極和陽極之間設置了多個栅極，通過不同栅極的電壓控制電子流，實現更複雜的信號處理功能。

2.結構與類型

常見類型：包括四極管、五極管和七極管。其中五極管最為典型，它在三極管基礎上增加了兩個栅極：簾栅極和抑制栅極。
栅極功能：
- 簾栅極：通常施加與陽極相近的電壓，用于加速電子流向陽極，提高電流效率。
- 抑制栅極：防止二次電子從陽極反彈回栅極，減少信號失真。

3.應用場景

信號放大：多栅管在早期無線電、音頻功放等領域廣泛應用，尤其四極管在現代功放設備中仍占較高比例。
變頻功能：通過多栅管變頻器（multigrid tube converter）實現高頻信號轉換。

4.技術優勢

相比三極管，多栅管通過多級控制提升了電子流穩定性，同時增強了高頻響應能力，適用于複雜電路設計。

如需進一步了解具體型號或技術參數，可參考電子工程專業文獻或詞典來源（如海詞詞典）。