多栅管英文解释翻译、多栅管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 multigrid tube

分词翻译：

多的英语翻译：

excessive; many; more; much; multi-
【计】 multi
【医】 multi-; pleio-; pleo-; pluri-; poly-

栅的英语翻译：

bar

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

专业解析

在电子工程领域，"多栅管"（duō shān guǎn）指代具有多个栅极结构的晶体管，属于现代半导体器件的核心元件。其专业释义及技术内涵如下：

一、术语定义与核心特征

多栅管（Multigate Transistor/Multi-Gate FET）

指在单一晶体管结构中集成两个及以上栅电极的场效应晶体管（FET）。通过多栅极协同控制沟道电流，显著提升器件对沟道的静电控制能力，抑制短沟道效应（Short-Channel Effects, SCE），适用于纳米级集成电路设计。

核心特征：

三维沟道结构：栅极从多个方向包裹沟道（如双栅、三栅、环栅等），增强栅控能力；
低功耗与高性能：在相同制程下，较传统平面晶体管漏电流降低>50%，开关速度提升20-30% ；
尺寸微缩优势：支持半导体工艺持续向5nm以下节点演进（如FinFET、GAA FET技术）。

二、技术演进与典型结构

FinFET（鳍式场效应晶体管）
- 结构：栅极三面包裹垂直鳍片状沟道，形成"双栅"或"三栅"控制；
- 应用：14nm至7nm工艺节点主流技术（Intel 22nm节点首次商用）。
GAA FET（环绕栅极晶体管）
- 结构：栅极360°环绕纳米线/片状沟道（如Nanosheet、Nanoribbon）；
- 优势：进一步改善栅控精度，支撑3nm及以下工艺（三星3GAE、台积电N2技术）。

三、核心价值与应用领域

高性能计算：提升CPU/GPU运算效率，降低动态功耗（如苹果A系列芯片、NVIDIA GPU）；
移动设备：延长电池续航（高通骁龙、联发科天玑芯片）；
物联网与AI：支持边缘设备低功耗实时计算。

四、权威术语参考来源

IEEE电子器件学会（IEEE EDS）
《FinFET与多栅器件技术白皮书》定义多栅管为"通过结构创新解决摩尔定律物理极限的关键路径" 。

IMEC（欧洲微电子研究中心）
研究报告指出GAA FET为"3nm后节点标准器件"，栅极数目与沟道维度正相关。

英特尔技术期刊
详述FinFET从22nm到10nm的工程优化路径，验证多栅设计对漏电流的抑制效果。

术语翻译对照

中文	英文	语境示例
多栅管	Multigate Transistor	学术文献、器件物理研究
多栅晶体管	Multi-Gate FET (MGFET)	产业技术文档、芯片设计手册
鳍式晶体管	FinFET	7nm-16nm工艺节点商用芯片规格书
环绕栅晶体管	Gate-All-Around FET (GAA)	3nm及以下先进制程技术路线图

网络扩展解释

多栅管是一种具有多个栅极结构的电子管，主要用于信号放大、变频等电子电路中。以下是其核心信息的综合解释：

1.基本定义

多栅管（英文：multiple-grid tube 或 multigrid tube）属于电子管的一种，其结构特点是在阴极和阳极之间设置了多个栅极，通过不同栅极的电压控制电子流，实现更复杂的信号处理功能。

2.结构与类型

常见类型：包括四极管、五极管和七极管。其中五极管最为典型，它在三极管基础上增加了两个栅极：帘栅极和抑制栅极。
栅极功能：
- 帘栅极：通常施加与阳极相近的电压，用于加速电子流向阳极，提高电流效率。
- 抑制栅极：防止二次电子从阳极反弹回栅极，减少信号失真。

3.应用场景

信号放大：多栅管在早期无线电、音频功放等领域广泛应用，尤其四极管在现代功放设备中仍占较高比例。
变频功能：通过多栅管变频器（multigrid tube converter）实现高频信号转换。

4.技术优势

相比三极管，多栅管通过多级控制提升了电子流稳定性，同时增强了高频响应能力，适用于复杂电路设计。

如需进一步了解具体型号或技术参数，可参考电子工程专业文献或词典来源（如海词词典）。