
【電】 backward diode
converse
【計】 negative direction
diode
【化】 diode
逆向二極管(Reverse Diode)是一種特殊類型的半導體器件,英文術語通常表述為"Backward Diode"或"Tunnel Rectifier"。其核心特征在于反向偏置時導通電流、正向偏置時呈現高阻抗的非對稱伏安特性,這種特性與常規二極管完全相反。
從結構原理分析,該器件基于量子隧道效應實現導電機制,采用重摻雜PN結設計,其勢壘區寬度僅約10納米。根據《IEEE電子器件術語标準》(IEEE Standard 100),其反向擊穿電壓可低至0.1V,正向阻斷電壓可達3V以上,這種特性使其在微波檢測領域具有獨特優勢。
典型應用包含:
相較于肖特基二極管,逆向二極管在77K低溫環境下仍能保持亞納秒級響應速度,這一特性被收錄于《半導體器件物理與工藝》(施敏著)第9.4章節。日本電子情報技術産業協會(JEITA)的測試報告顯示,其在94GHz頻段的轉換損耗比常規器件降低40%以上。
反向二極管(Backward Diode),又稱反向隧道二極管,是一種特殊類型的二極管,其核心特性是反向導電性優于正向導電性。以下從結構、原理和應用三個方面進行詳細解釋:
高摻雜的p-n結
反向二極管的核心結構是一個高度摻雜的p-n結。其中一側為簡并半導體(費米能級進入能帶),另一側摻雜濃度稍低,接近但未達到簡并狀态。這種特殊結構導緻其導電特性與普通二極管相反。
隧道效應主導反向電流
特性 | 普通二極管 | 反向二極管 |
---|---|---|
正向導電性 | 強(導通) | 弱 |
反向導電性 | 弱(截止) | 強(隧道效應主導) |
主要應用場景 | 整流、穩壓 | 高頻檢波、信號處理 |
如需進一步了解具體應用案例(如UART電路設計),可參考的詳細分析。
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