
【電】 inner grid
inner; inside; within
【醫】 end-; endo-; ento-; in-; intra-
bar
在電子工程領域,“内栅”對應的英文術語為“internal gate”,指半導體器件(如功率MOSFET或IGBT)内部用于控制載流子通道的電極結構。該術語在以下權威文獻中有明确界定:
《牛津電子工程詞典》(第6版)定義:内栅是集成在芯片内部的栅極層,通過絕緣介質與源極、漏極隔離,其幾何形狀直接影響器件的開關特性與導通電阻。例如平面栅(planar gate)和溝槽栅(trench gate)均屬于内栅結構。
IEEE标準術語庫(Std 100-2024)補充說明:相較于外接栅極,内栅通過芯片制造工藝直接成型,具有更優的寄生參數控制能力,廣泛應用于第三代半導體材料(如SiC、GaN)器件設計。
《功率半導體器件原理與應用》(清華大學出版社)指出:内栅結構需要匹配特定的刻蝕工藝和栅氧化層質量控制技術,栅極寬度與間距的微縮化是提升器件頻率響應的關鍵。
關于“内栅”一詞的解釋,目前權威詞典和公開資料中均未收錄該詞條。結合“栅”字的多種含義,可能存在以下兩種理解方向:
字面組合解析
專業領域推測
建議:請确認是否為“内栅極”“内光栅”等專業術語,或提供更多使用場景以便進一步分析。當前可參考“栅”的核心釋義:
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