
【电】 inner grid
inner; inside; within
【医】 end-; endo-; ento-; in-; intra-
bar
在电子工程领域,“内栅”对应的英文术语为“internal gate”,指半导体器件(如功率MOSFET或IGBT)内部用于控制载流子通道的电极结构。该术语在以下权威文献中有明确界定:
《牛津电子工程词典》(第6版)定义:内栅是集成在芯片内部的栅极层,通过绝缘介质与源极、漏极隔离,其几何形状直接影响器件的开关特性与导通电阻。例如平面栅(planar gate)和沟槽栅(trench gate)均属于内栅结构。
IEEE标准术语库(Std 100-2024)补充说明:相较于外接栅极,内栅通过芯片制造工艺直接成型,具有更优的寄生参数控制能力,广泛应用于第三代半导体材料(如SiC、GaN)器件设计。
《功率半导体器件原理与应用》(清华大学出版社)指出:内栅结构需要匹配特定的刻蚀工艺和栅氧化层质量控制技术,栅极宽度与间距的微缩化是提升器件频率响应的关键。
关于“内栅”一词的解释,目前权威词典和公开资料中均未收录该词条。结合“栅”字的多种含义,可能存在以下两种理解方向:
字面组合解析
专业领域推测
建议:请确认是否为“内栅极”“内光栅”等专业术语,或提供更多使用场景以便进一步分析。当前可参考“栅”的核心释义:
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