漏透電流英文解釋翻譯、漏透電流的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 soak current

分詞翻譯：

漏透的英語翻譯：

【電】 soak

電流的英語翻譯：

electric current; electrical current; electricity
【計】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【醫】 current; electric current; rheo-

專業解析

在電力電子領域，“漏透電流”通常指漏電流（Leakage Current），特指半導體器件（如二極管、MOSFET、IGBT）在關斷狀态下，因物理特性不可避免流過的微小電流。以下是詳細解釋：

一、基本定義

漏透電流（Leakage Current）

指半導體器件在承受反向電壓或關斷狀态時，通過PN結或絕緣層的微小電流。其英文術語為"Leakage Current"，部分文獻也稱作"Off-state Current" 或"Reverse Leakage Current"。

二、物理機制

耗盡區載流子漂移
在反向偏置的PN結中，耗盡區内存在少數載流子（電子或空穴）的熱激發，形成微小電流。

隧穿效應
高電場下，電子可能穿透勢壘（量子隧穿），尤其在薄絕緣層（如MOSFET栅氧層）中顯著。

表面漏電
器件表面污染或缺陷導緻電流沿芯片表面旁路。

三、影響因素

因素	影響機制	典型場景
溫度	溫度↑ → 載流子濃度↑ → 漏電流↑	高溫環境器件可靠性下降
電壓	反向電壓↑ → 電場強度↑ → 隧穿效應↑	高壓應用（如IGBT模塊）
工藝缺陷	晶格缺陷→載流子複合中心增多	低品質器件的漏電流超标

四、工程意義

功率損耗
漏電流引發電機功耗，尤其在低功耗設計中需嚴格限制，計算公式：

$$ P{text{leak}} = I{text{leak}} times V_{text{applied}} $$

系統可靠性
高溫下漏電流倍增可能引發熱失控（如IGBT闩鎖效應）。

信號完整性
高阻電路中，nA級漏電流導緻電壓漂移（如傳感器采樣誤差）。

五、權威參考來源

IEEE标準定義
IEEE Standard 100: Dictionary of IEEE Standards Terms（需訂閱訪問）

定義半導體器件的漏電流為“在指定反向電壓下流過的電流”。

半導體物理經典教材
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley, 1981）

詳細分析PN結反向漏電的擴散與産生機制（Chapter 2.4）。

工程應用指南
ON Semiconductor, Understanding Leakage Current in MOSFETs

實測數據展示溫度/電壓對漏電流的影響曲線。

注：因部分文獻需訂閱訪問，建議通過學術數據庫（如IEEE Xplore）或制造商技術文檔獲取完整内容。

網絡擴展解釋

“漏透電流”可能是指“漏電流”和“穿透電流”兩個概念的組合。這兩個術語分屬不同領域，以下是詳細解釋：

一、漏電流（Leakage Current）

定義：漏電流是電氣設備或電路中因絕緣不完全、材料老化或設計缺陷導緻的非預期電流洩漏，可能流向大地、機殼或其他導體。
特點：

産生原因：
- 絕緣材料老化、受潮或存在瑕疵（如電容、電感等元件）；
- 電源内部Y電容的容值和數量（如開關電源中Y電容越大，漏電流越高）。
影響：
- 增加能耗、導緻設備發熱或損壞；
- 對人體構成觸電風險（如醫療設備要求漏電流低于0.1mA）。
行業标準：
- 工業設備通常要求漏電流小于0.75mA，醫療設備更嚴格。

二、穿透電流（Iceo，穿透電流）

定義：特指雙極型三極管（如BJT）在基極開路時，集電極與發射極之間的漏電流，由少數載流子（少子）運動形成。
特點：

産生原因：
- 半導體材料中少子的熱激發（如矽管的少子為空穴或電子）；
- 受溫度、輻射影響顯著，溫度升高時穿透電流指數級增大。
典型值：
- 矽三極管的穿透電流通常在nA級，可忽略不計；
- 鍺管穿透電流較大，需額外設計補償電路。

三、兩者的區别

項目	漏電流	穿透電流
應用領域	電路絕緣、電源安全（如家電、醫療設備）	半導體器件特性（如三極管）
主要危害	人身安全、設備能耗	電路穩定性、溫漂問題
典型值範圍	μA至mA級	nA級（矽管）

漏電流是廣義的絕緣或設計缺陷導緻的電流洩漏，需通過材料優化和行業标準控制；
穿透電流是半導體器件的固有特性，需在電路設計中考慮溫度補償。

若需進一步了解具體場景（如電源設計或三極管選型），可參考相關網頁來源。