
【電】 residual resistance
end; relict; remainder; remains; survivals; vestige
【醫】 R.; remnant; residue; residuum
resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance
在電子工程與凝聚态物理學中,殘餘電阻(Residual Resistance)指金屬材料在接近絕對零度(0 K)時仍存在的極小電阻值。該現象源于材料晶格中的雜質原子、位錯等缺陷對電子的散射作用,即使溫度趨近絕對零度導緻晶格振動(聲子散射)消失,這類缺陷仍會阻礙電子定向運動。
根據牛津大學出版社《凝聚态物理手冊》,殘餘電阻率計算公式為: $$ rho_0 = frac{m}{netau} $$ 其中$rho_0$是剩餘電阻率,$m$為電子質量,$n$為載流子濃度,$e$為電荷量,$tau$為電子弛豫時間。該公式表明材料純度越高($tau$值越大),殘餘電阻越低。
美國國家标準與技術研究院(NIST)在超導材料研究中指出,殘餘電阻比(RRR=ρ(300K)/ρ(4.2K))是評估金屬純度的關鍵指标,高純度銅的RRR值可達100-1000。這種現象為量子計算機超導電路設計提供了材料選擇依據。
殘餘電阻(又稱剩餘電阻)是指導體在接近絕對零度或超導态時仍存在的微小電阻值,通常用于表征材料的純淨度和結構完整性。以下是綜合解釋:
基本定義
殘餘電阻是材料本身的性質,反映其内部晶格缺陷、雜質等因素導緻的電流阻礙。在超導材料中,即使進入超導态,仍可能存在未被完全消除的電阻,此時殘餘電阻越小,材料性能越優。
物理意義
應用領域
主要用于低溫物理和超導技術,例如量子計算設備中的超導電路需極低殘餘電阻以維持穩定性。公式上,電阻率可表示為:
$$
rho(T) = rho0 + rho{text{ph}}(T)
$$
其中$rho0$為殘餘電阻率(與溫度無關),$rho{text{ph}}(T)$為聲子散射導緻的溫度相關項。
參考來源:、2、3中的材料科學及超導研究相關内容。
白蟻保護存儲器邊寫邊讀程式邊際核對串編輯刺柏酸帶間多工電碼傳送根軌迹工廠能量共模輸入阻抗關節發育不良關節炎體型過早的後台顯示圖象後天性脊髓積水壞疽性的積顯性遺傳克勞斯氏試驗克羅黴素可調分貝狂熱的坤酸石灰闊别棱堡粒層黃體細胞哌吡苯胺啟動數據傳送軟骨素原算術下溢