漏透电流英文解释翻译、漏透电流的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 soak current

分词翻译：

漏透的英语翻译：

【电】 soak

电流的英语翻译：

electric current; electrical current; electricity
【计】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【医】 current; electric current; rheo-

专业解析

在电力电子领域，“漏透电流”通常指漏电流（Leakage Current），特指半导体器件（如二极管、MOSFET、IGBT）在关断状态下，因物理特性不可避免流过的微小电流。以下是详细解释：

一、基本定义

漏透电流（Leakage Current）

指半导体器件在承受反向电压或关断状态时，通过PN结或绝缘层的微小电流。其英文术语为"Leakage Current"，部分文献也称作"Off-state Current" 或"Reverse Leakage Current"。

二、物理机制

耗尽区载流子漂移
在反向偏置的PN结中，耗尽区内存在少数载流子（电子或空穴）的热激发，形成微小电流。

隧穿效应
高电场下，电子可能穿透势垒（量子隧穿），尤其在薄绝缘层（如MOSFET栅氧层）中显著。

表面漏电
器件表面污染或缺陷导致电流沿芯片表面旁路。

三、影响因素

因素	影响机制	典型场景
温度	温度↑ → 载流子浓度↑ → 漏电流↑	高温环境器件可靠性下降
电压	反向电压↑ → 电场强度↑ → 隧穿效应↑	高压应用（如IGBT模块）
工艺缺陷	晶格缺陷→载流子复合中心增多	低品质器件的漏电流超标

四、工程意义

功率损耗
漏电流引发电机功耗，尤其在低功耗设计中需严格限制，计算公式：

$$ P{text{leak}} = I{text{leak}} times V_{text{applied}} $$

系统可靠性
高温下漏电流倍增可能引发热失控（如IGBT闩锁效应）。

信号完整性
高阻电路中，nA级漏电流导致电压漂移（如传感器采样误差）。

五、权威参考来源

IEEE标准定义
IEEE Standard 100: Dictionary of IEEE Standards Terms（需订阅访问）

定义半导体器件的漏电流为“在指定反向电压下流过的电流”。

半导体物理经典教材
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley, 1981）

详细分析PN结反向漏电的扩散与产生机制（Chapter 2.4）。

工程应用指南
ON Semiconductor, Understanding Leakage Current in MOSFETs

实测数据展示温度/电压对漏电流的影响曲线。

注：因部分文献需订阅访问，建议通过学术数据库（如IEEE Xplore）或制造商技术文档获取完整内容。

网络扩展解释

“漏透电流”可能是指“漏电流”和“穿透电流”两个概念的组合。这两个术语分属不同领域，以下是详细解释：

一、漏电流（Leakage Current）

定义：漏电流是电气设备或电路中因绝缘不完全、材料老化或设计缺陷导致的非预期电流泄漏，可能流向大地、机壳或其他导体。
特点：

产生原因：
- 绝缘材料老化、受潮或存在瑕疵（如电容、电感等元件）；
- 电源内部Y电容的容值和数量（如开关电源中Y电容越大，漏电流越高）。
影响：
- 增加能耗、导致设备发热或损坏；
- 对人体构成触电风险（如医疗设备要求漏电流低于0.1mA）。
行业标准：
- 工业设备通常要求漏电流小于0.75mA，医疗设备更严格。

二、穿透电流（Iceo，穿透电流）

定义：特指双极型三极管（如BJT）在基极开路时，集电极与发射极之间的漏电流，由少数载流子（少子）运动形成。
特点：

产生原因：
- 半导体材料中少子的热激发（如硅管的少子为空穴或电子）；
- 受温度、辐射影响显著，温度升高时穿透电流指数级增大。
典型值：
- 硅三极管的穿透电流通常在nA级，可忽略不计；
- 锗管穿透电流较大，需额外设计补偿电路。

三、两者的区别

项目	漏电流	穿透电流
应用领域	电路绝缘、电源安全（如家电、医疗设备）	半导体器件特性（如三极管）
主要危害	人身安全、设备能耗	电路稳定性、温漂问题
典型值范围	μA至mA级	nA级（硅管）

漏电流是广义的绝缘或设计缺陷导致的电流泄漏，需通过材料优化和行业标准控制；
穿透电流是半导体器件的固有特性，需在电路设计中考虑温度补偿。

若需进一步了解具体场景（如电源设计或三极管选型），可参考相关网页来源。