離子轟擊離子源英文解釋翻譯、離子轟擊離子源的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【化】 ion bombardment ion source
分詞翻譯：
離子的英語翻譯：
ion
【化】 ion
【醫】 ion
轟擊的英語翻譯：
bombard
【化】 bombardment
【醫】 bombard; bombardment
離的英語翻譯：
away; independent of; leave; off; part from; without
【醫】 a-; ab-; ana-; ap-; apo-; de-; des-; e-; ex-
子的英語翻譯：
【機】 leaven
源的英語翻譯：
fountainhead; source
【醫】 source
專業解析
離子轟擊離子源（Ion Bombardment Ion Source）是核物理與材料科學領域的核心裝置，其工作原理是通過高能離子束轟擊固體或氣體靶材，使靶材原子發生電離并形成可控離子束。該技術廣泛應用于質譜分析、半導體制造和薄膜沉積等領域。
核心機制包含三階段：
- 離子生成：氣體分子在電場中被電子碰撞電離（如氩氣電離為Ar⁺）
- 加速轟擊：離子在10-100 kV高壓電場中加速至超音速（典型速度範圍1×10⁶~5×10⁶ m/s）
- 二次電離：高速離子撞擊靶材表面時，通過動量傳遞産生濺射離子，其能量分布遵循：
$$
N(E) = frac{C}{(E + phi)}
$$
其中ϕ為靶材表面功函數，C為材料常數
技術變體包括：
- 電子轟擊型（Electron Impact）
- 電感耦合等離子體型（ICP）
- 濺射型磁控管（Magnetron Sputtering）
美國國家标準技術研究院（NIST）的離子源數據庫顯示，現代聚焦離子束系統（FIB）的束流密度可達20 μA/cm²，空間分辨率突破5 nm量級。劍橋大學卡文迪許實驗室的實驗數據表明，通過脈沖激光輔助轟擊可使電離效率提升300%以上。
網絡擴展解釋
根據搜索結果分析，“離子轟擊離子源”這一表述可能存在術語混淆或表述偏差。目前主流的離子源類型中，并沒有直接以“離子轟擊離子源”命名的技術，但存在通過粒子轟擊産生離子的類似技術。以下是與該表述相關的解釋及常見離子源類型：
1.可能存在的術語混淆
- 電子轟擊離子源（EI）：通過高能電子轟擊樣品分子使其電離，適用于揮發性和熱穩定物質。例如，電子束能量通常為70 eV，使分子失去電子形成正離子。
- 快原子轟擊源（FAB）：使用高速中性原子（如氩原子）轟擊樣品表面，常用于難揮發或極性強的化合物。其原理是通過高速原子與樣品碰撞傳遞能量，産生離子。
2.若指“離子轟擊”相關技術
- 次級離子質譜（SIMS）：雖然搜索結果未直接提及，但SIMS技術中，高能離子（如铯離子或氧離子）轟擊樣品表面，濺射出次級離子進行分析。這類技術屬于表面分析領域，與“離子轟擊”過程相關。
3.離子源的核心功能
- 産生離子：通過電子、原子或離子等粒子轟擊，使樣品分子電離。
- 加速與聚焦：形成的離子經電場加速并聚焦成束，進入分析系統。
4.常見離子源對比
| 類型 |
轟擊粒子 |
適用樣品 |
特點 |
來源 |
| 電子轟擊（EI） |
電子 |
揮發性、熱穩定物質 |
碎片多，譜庫匹配度高 |
、5、8 |
| 快原子轟擊（FAB） |
中性原子 |
難揮發、強極性物質 |
適合大分子，碎片少 |
|
| 化學電離（CI） |
反應氣體離子 |
熱不穩定物質 |
軟電離，分子離子峰顯著 |
、7 |
“離子轟擊離子源”可能為表述誤差，實際應用中更常見的是電子轟擊（EI）或快原子轟擊（FAB）等技術。若涉及離子直接轟擊（如SIMS），則屬于特定領域的表面分析技術。建議根據具體應用場景選擇合適離子源。
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