离子轰击离子源英文解释翻译、离子轰击离子源的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【化】 ion bombardment ion source
分词翻译：
离子的英语翻译：
ion
【化】 ion
【医】 ion
轰击的英语翻译：
bombard
【化】 bombardment
【医】 bombard; bombardment
离的英语翻译：
away; independent of; leave; off; part from; without
【医】 a-; ab-; ana-; ap-; apo-; de-; des-; e-; ex-
子的英语翻译：
【机】 leaven
源的英语翻译：
fountainhead; source
【医】 source
专业解析
离子轰击离子源（Ion Bombardment Ion Source）是核物理与材料科学领域的核心装置，其工作原理是通过高能离子束轰击固体或气体靶材，使靶材原子发生电离并形成可控离子束。该技术广泛应用于质谱分析、半导体制造和薄膜沉积等领域。
核心机制包含三阶段：
- 离子生成：气体分子在电场中被电子碰撞电离（如氩气电离为Ar⁺）
- 加速轰击：离子在10-100 kV高压电场中加速至超音速（典型速度范围1×10⁶~5×10⁶ m/s）
- 二次电离：高速离子撞击靶材表面时，通过动量传递产生溅射离子，其能量分布遵循：
$$
N(E) = frac{C}{(E + phi)}
$$
其中ϕ为靶材表面功函数，C为材料常数
技术变体包括：
- 电子轰击型（Electron Impact）
- 电感耦合等离子体型（ICP）
- 溅射型磁控管（Magnetron Sputtering）
美国国家标准技术研究院（NIST）的离子源数据库显示，现代聚焦离子束系统（FIB）的束流密度可达20 μA/cm²，空间分辨率突破5 nm量级。剑桥大学卡文迪许实验室的实验数据表明，通过脉冲激光辅助轰击可使电离效率提升300%以上。
网络扩展解释
根据搜索结果分析，“离子轰击离子源”这一表述可能存在术语混淆或表述偏差。目前主流的离子源类型中，并没有直接以“离子轰击离子源”命名的技术，但存在通过粒子轰击产生离子的类似技术。以下是与该表述相关的解释及常见离子源类型：
1.可能存在的术语混淆
- 电子轰击离子源（EI）：通过高能电子轰击样品分子使其电离，适用于挥发性和热稳定物质。例如，电子束能量通常为70 eV，使分子失去电子形成正离子。
- 快原子轰击源（FAB）：使用高速中性原子（如氩原子）轰击样品表面，常用于难挥发或极性强的化合物。其原理是通过高速原子与样品碰撞传递能量，产生离子。
2.若指“离子轰击”相关技术
- 次级离子质谱（SIMS）：虽然搜索结果未直接提及，但SIMS技术中，高能离子（如铯离子或氧离子）轰击样品表面，溅射出次级离子进行分析。这类技术属于表面分析领域，与“离子轰击”过程相关。
3.离子源的核心功能
- 产生离子：通过电子、原子或离子等粒子轰击，使样品分子电离。
- 加速与聚焦：形成的离子经电场加速并聚焦成束，进入分析系统。
4.常见离子源对比
| 类型 |
轰击粒子 |
适用样品 |
特点 |
来源 |
| 电子轰击（EI） |
电子 |
挥发性、热稳定物质 |
碎片多，谱库匹配度高 |
、5、8 |
| 快原子轰击（FAB） |
中性原子 |
难挥发、强极性物质 |
适合大分子，碎片少 |
|
| 化学电离（CI） |
反应气体离子 |
热不稳定物质 |
软电离，分子离子峰显著 |
、7 |
“离子轰击离子源”可能为表述误差，实际应用中更常见的是电子轰击（EI）或快原子轰击（FAB）等技术。若涉及离子直接轰击（如SIMS），则属于特定领域的表面分析技术。建议根据具体应用场景选择合适离子源。
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